集射极击穿电压(Vces) | 600V | 集电极电流(Ic) | 35A |
功率(Pd) | 125W | 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.75V@15V,12A |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 55nC | 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns |
关断延迟时间(Td(off)) | 105ns | 导通损耗(Eon) | 0.165mJ |
关断损耗(Eoff) | 0.255mJ | 反向恢复时间(Trr) | 31ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品简介
STGP19NC60KD 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具有优异的电气性能和广泛的应用范围。该器件采用 TO-220 封装,适用于高电压、高电流的功率电子应用,能够提供高效率的开关能力和可靠的热性能。
主要特性
电气参数:
开关性能:
温度特性:
栅极相关特性:
应用领域
STGP19NC60KD IGBT 广泛应用于多种高功率和高速开关应用中,包括:
产品优势
作为一种高效率的功率元件,STGP19NC60KD 拥有多个优点:
结论
STGP19NC60KD 是一款值得信赖的 IGBT 解决方案,适合各种工业和消费电子应用。凭借其优异的电气性能,可靠性和适应性,该产品能够满足现代功率电子领域日益增长的需求。意法半导体通过持续创新和严格的质量控制,确保了该元件的卓越性能,是科研机构、工程师以及设备制造商的理想选择。