类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@4.5V,1.4A |
功率(Pd) | 600mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@100uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 100pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
RV2C014BCT2CL 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 P 型沟道 MOSFET(场效应晶体管),采用紧凑的 DFN1006-3 封装。这款 MOSFET 以其优秀的电气性能和热管理能力,适用于多种电子设备的开关和放大功能。其基本参数包括最大漏源电压(Vdss)为 20V,最大连续漏电流(Id)为 700mA,以及最大功耗为 400mW(在环境温度 Ta 下)。RV2C014BCT2CL 是现代电子设计中重要的元器件,适用于需要小尺寸和高效率的应用场合。
RV2C014BCT2CL 的工作温度范围达到 150°C,是目前高温环境下操作的理想选择。其广泛应用于以下领域:
RV2C014BCT2CL 作为一款高效能的 MOSFET,其最大功耗为 400mW,这为设计者提供了一定的设计裕度。此外,DFN1006-3 封装的设计可优化PCB空间使用,适合紧凑型设计需求。随着电子设备向小型化、高效能化发展,RV2C014BCT2CL 的应用前景非常广泛。
总之,RV2C014BCT2CL 是一款高性能、低功耗的 P 型沟道 MOSFET,适合包括电源管理、LED 驱动和电动机控制等多种应用。其先进的技术参数和优异的工作特性,使其在行业竞争中脱颖而出,对于追求高效、可靠和紧凑设计的电子应用场合,RV2C014BCT2CL 是一个理想的选择。