TLV2333IDR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TLV2333IDR

商品编码: BM0000002949
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
0.175g
描述 : 
精密运放 2uV 双路 70pA 350kHz SOIC-8
库存 :
1344(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.41
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.41
--
2500+
¥1.34
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

TLV2333IDR参数

放大器数双路增益带宽积(GBP)350kHz
输入偏置电流(Ib)70pA输入失调电压(Vos)2uV
压摆率(SR)0.16V/us工作温度-40℃~+125℃

TLV2333IDR手册

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TLV2333IDR概述

TLV2333IDR 产品概述

概述

TLV2333IDR 是德州仪器 (Texas Instruments) 提供的一款高精度、零漂移的双通道运算放大器。它采用流行的 8-SOIC 封装,旨在满足对低功耗、高性能要求的现代电子设计需求。TLV2333IDR 具有出色的电路特性,使其在各种应用场景中表现出色,尤其适合于传感器信号处理、数据采集和其他需要高精度放大的应用。

主要特性

  1. 零漂移设计:TLV2333IDR 采用零漂移技术,集成了电压补偿电路,从而在宽温度范围内确保输出信号的稳定性。它的输入偏置电流低至 70pA,电压补偿为 2µV,减少了温度变化和电源波动带来的潜在误差。

  2. 高带宽增益:具有 350kHz 的增益带宽积和 0.16V/µs 的压摆率,使得 TLV2333IDR 在处理高频信号时仍保持良好的线性度和小的相位误差。这使得它在音频、通讯和高频传感器应用中非常可靠。

  3. 高输出能力:TLV2333IDR 提供满摆幅输出,支持的供电电压范围为单电源 1.8V ~ 5.5V,以及双电源 ±0.9V ~ 2.75V,满足各种供电需求。此外,其在工艺下的低功耗设计,电流供电仅为 17µA,使得它非常适合便携式设备和电池供电产品。

  4. 广泛的工作温度范围:TLV2333IDR 的工作温度范围为 -40°C 到 125°C,确保在各种严苛环境下依然能够稳定工作。此特性使其在工业、汽车和医疗等应用领域中得以广泛应用。

  5. 高领先性的表面贴装设计:TLV2333IDR 采用表面贴装 (SMD) 技术,封装尺寸为 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽),非常适合现代 Small Form Factor 的电路板设计,节省了空间并提升了电路的整体性能和可靠性。

应用场景

TLV2333IDR 被广泛应用于以下几个领域:

  • 传感器信号处理:在各种传感器应用中,尤其是温度、压力和湿度传感器的信号处理,运算放大器能够有效地对微弱信号进行放大,从而提高测量精度。

  • 数据采集系统:在数据采集系统中,TLV2333IDR 可以用于实现高精度信号采集,提高 ADC 接收信号的质量。

  • 医疗设备:对于医疗监测设备,如心率监测、血糖仪等,运算放大器能够确保监测信号的准确性,直接影响设备的性能。

  • 低功耗便携设备:在便携式电子设备如仪器仪表、无线传感器网络等中,低功耗特性使得 TLV2333IDR 能够在延长电池使用寿命的同时,确保信号的真实性和稳定性。

结论

TLV2333IDR 作为一款高性能的精密运算放大器,以其优良的零漂移特性、低功耗、高增益带宽和广泛的工作温度范围,成为众多电子设计师的理想选择。无论在工业控制、消费电子还是医疗仪器等众多领域,TLV2333IDR 都能充分满足高精度和低功耗的设计需求,为现代电子产品的研发和实现提供了有力的支持。