类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 27A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 500W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 180nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.66nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 41pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFP27N60KPBF 是一款由威世(VISHAY)公司推出的高性能N通道MOSFET场效应管,专为高压、高电流应用而设计。该器件的最大漏源电压为600V,标称连续漏极电流为27A,能够满足大多数工业及电力电子应用的需求。凭借其出色的热性能和低导通电阻,本MOSFET适合用于电源转换、开关电源、逆变器、马达驱动和其他各类功率控制系统。
IRFP27N60KPBF采用TO-247-3封装,这一类型的封装具有较好的散热性能和强固的机械结构。通孔安装(Through-Hole)设计使得电路板的布局更加灵活,便于在高功率应用中获得良好的散热效果。
由于其优良的电气特性与工作稳定性,IRFP27N60KPBF在多种应用场合均可表现出色,具体包括:
IRFP27N60KPBF MOSFET凭借卓越的电气性能、广泛的工作温度和高功率处理能力,成为了现代电力电子设计中的优选元件。其出色的可靠性和经济性,使其在各种应用场合,特别是在要求高负载和高效能的环境中表现优异。作为威世公司的一款优质产品,IRFP27N60KPBF适合各类工程师与设计人员选择,以满足日益增长的电力需求和日常工业应用挑战。