类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 55A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,55A |
功率(Pd) | 2.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 67nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 400pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 229pF@20V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
DMPH4013SK3Q-13 产品概述
DMPH4013SK3Q-13 是 Diodes Incorporated 旗下的一款高性能 P 源 MOSFET(场效应管),专为汽车电子应用设计,符合 AEC-Q101 认证标准,能够在恶劣环境下运行,保证其稳定性和可靠性。这款器件在设计时充分考虑了汽车行业的需求,强调高温工作、高电流承载和最低的导通电阻,以满足各种现代汽车系统和工业自动化的需求。
类型与技术:DMPH4013SK3Q-13 是一种基于金属氧化物技术的 P 通道 MOSFET。这种类型的 MOSFET 在负载开关及高电流电路中有着广泛的应用,适合于需要高开关性能和低损耗的场合。
电流与电压特性:其连续漏极电流(Id)可达到 55A(Tc),而漏源电压(Vdss)最大为 40V,提供了出色的电流承载能力和良好的电压控制特性,适合用于高功率电源管理和电机驱动等应用。
导通电阻:在 10V 的栅极电压下,其最大导通电阻(Rds(on))为 15 毫欧 @ 10A,表现出卓越的电气性能。低导通电阻意味着在运行过程中的能量损耗较少,提高了系统的整体效率,对于电源设计尤其重要。
驱动电压:产品设计支持 4.5V 至 10V 的驱动电压,这种灵活性使其适应用于多种驱动电压环境,满足各种应用的需求。
栅极电压:最大栅极电压(Vgs)为 ±20V,提供了足够的安全余量,能够有效防止过压击穿,确保器件在恶劣条件下的可靠性。
工作温度范围:DMPH4013SK3Q-13 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,这使得它能够在极端环境条件下稳定工作,适用于车辆的引擎舱、车身电气系统等高温环境以及低温启动条件。
功率耗散:其最大功率耗散能力为 2.1W(Ta),这使得设备在连续工作时能有效地散热,降低由于工作温度过高导致故障的风险。
DMPH4013SK3Q-13 的封装形式为 TO-252(D-Pak)。此种表面贴装封装不仅便于自动化组装,且其结构设计提高了散热性能,有助于电路板的整体设计和散热管理。TO-252 封装提供了良好的机械强度和较高的电气性能,适用于高密度的电路板设计。
DMPH4013SK3Q-13 广泛应用于汽车电源管理、工业电机驱动、自动化控制系统、以及各类便携式设备等领域。其优越的性能参数使其成为高效电源转换和管理、DC-DC 转换器、以及负载开关设计的理想选择。
总的来说,DMPH4013SK3Q-13 是一款设计精良的 P 通道 MOSFET,具备高温、高电流和低导通电阻的特点,旨在为现代汽车及工业应用提供可靠的电源解决方案。无论在何种条件下,其卓越的性能和广泛的应用潜力均使其成为电子工程师和设计师的重要选择。