PESD15VS5UD,115 产品实物图片
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PESD15VS5UD,115

商品编码: BM0000003070
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.029g
描述 : 
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PESD15VS5UD,115 SC-74
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.964
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.964
--
200+
¥0.741
--
1500+
¥0.645
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PESD15VS5UD,115参数

极性单向反向截止电压(Vrwm)15V
最大钳位电压33V峰值脉冲电流(Ipp)6A
峰值脉冲功率(Ppp)200W击穿电压17V
通道数五路工作温度-65℃~+150℃@(Ta)
类型ESD

PESD15VS5UD,115手册

PESD15VS5UD,115概述

产品概述:PESD15VS5UD,115

PESD15VS5UD,115 是由 Nexperia(安世半导体)公司生产的一款高性能齐纳二极管,专门设计用于静电放电(ESD)和浪涌保护。该产品采用表面贴装型(SMD)封装,符合 SC-74(或 SOT-457)标准,适合现代电子设备的紧凑设计。

基础参数与特性

PESD15VS5UD,115 具有以下关键技术参数:

  1. 反向电压和击穿电压

    • 电压 - 反向断态(典型值):15V(最大值)
    • 电压 - 击穿(最小值):17V 这些参数确保该二极管能够在高电压环境下被有效保护,而且具有良好的击穿特性。
  2. 电流和功率能力

    • 峰值脉冲电流(10/1000µs):6A(8/20µs)
    • 峰值脉冲功率:200W PESD15VS5UD,115 可以承受高达 200W 的瞬态功率,适合于高能量输入情况下的保护应用。
  3. 钳位电压

    • 不同 Ipp 时电压 - 钳位(最大值):33V 该特性确保在发生瞬态过电压时,器件可以有效限制钳位电压,从而保护后续电路和元件。
  4. 频率特性

    • 不同频率下的电容:60pF @ 1MHz 该低电容特性使其在数据线接口等高速应用中表现出色,有助于防止信号完整性受到影响。
  5. 工作温度范围

    • 常温范围:-65°C ~ 150°C(TA) PESD15VS5UD,115 能够在极端温度条件下稳定工作,适合于各种苛刻的环境。
  6. 安装与封装

    • 封装类型:TSOP-6,适合于自动化贴片工艺 PESD15VS5UD,115 的小型封装使其非常适合于空间受限的应用场合。

应用领域

PESD15VS5UD,115 齐纳二极管广泛应用于各种电子设备的保护电路,例如:

  • 移动设备:手机、平板电脑等,由于其接触频繁,易受到静电干扰。
  • 消费电子:电视、音响设备,能够有效抵御外界电涌对内部电路的影响。
  • 工业控制:在各种传感器和执行器接口中提供可靠的静电与浪涌保护,保障设备的长期稳定运行。
  • 数据通信设备:路由器、交换机等网络设备,减少静电对信号传输的干扰。

结论

PESD15VS5UD,115 是一款高效、可靠的静电和浪涌保护器件,适合多种电子应用场合。其独特的规格和特性使其成为应对外部电涌和瞬态电压风险的理想选择。在快速发展的电子产品领域,PESD15VS5UD,115 通过其出色的性能,保护各种关键电路,确保设备的安全稳定运行。结合 Nexperia 的品牌力量和技术支持,使用 PESD15VS5UD,115 的设计工程师可以显著提高产品的抗干扰能力和可靠性。