SQ2361ES-T1_GE3

产品概述：SQ2361ES-T1_GE3

1. 产品介绍

SQ2361ES-T1_GE3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的 P 沟道 MOSFET（场效应管），以其优越的性能和灵活的应用而闻名。该 MOSFET 采用 SOT-23-3 表面贴装型封装，特意为现代电子设计和电路优化而设计，满足高效能与小型化的需求。其关键参数如最大漏源电压 Vdss 为 60V，最大连续漏极电流 Id 达 2.8A，使其在广泛的电子应用领域中表现出色。

2. 主要参数及规格

• FET 类型：P 通道 MOSFET，适合需要反向导电特性的应用，如电源管理和开关电路。
• 漏源电压 (Vdss)：可承受高达 60V 的漏源电压，允许在高电压环境下稳健运行。
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时可连续承载 2.8A 的电流，确保在较高负载情况下的可靠性。
• 导通电阻 (Rds On)：在 10V Vgs 时，当 Id 为 2.4A 时，最大导通电阻为 177 毫欧，极低的导通电阻减少了功率损耗，提升了效率。
• 阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为 2.5V（@ 250µA），允许精确控制开关操作。
• 栅极电荷 (Qg)：在 10V 时的栅极电荷为 12nC，便于集成进高频和快速开关电路。
• 输入电容 (Ciss)：最大输入电容为 550pF（@ 30V），确保在高频应用中具有较高的稳定性。
• 功率耗散：最大功率耗散为 2W（Tc），适应低温升运行。

3. 工作条件和应用

SQ2361ES-T1_GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，适应于恶劣环境中的应用，为军事、航天及工业控制提供了极大的灵活性。通过其高功率耗散能力和低可变导通电阻，该 MOSFET 可用于信号放大、开关电源，以及各种负载开关场合。此外，其高额定电压和电流值使其能够在汽车、消费电子产品及便携设备中得到广泛应用。

4. 封装与安装

该 MOSFET 的 SOT-23-3 封装设计紧凑，适合便携式和空间受限的应用。表面贴装型的实现使得其在现代 PCB（印刷电路板）设计中易于集成，确保电路板的空间利用最大化。同时，SOT-23 封装也提供了良好的热管理和电气性能，确保在高工作频率和大电流情况下的稳定性。

5. 总结

SQ2361ES-T1_GE3 代表着 VISHAY 在 P 沟道 MOSFET 技术领域的前沿成果，为设计工程师提供了一个高效、可靠的元器件选择。凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围、紧凑的封装以及出色的热管理能力，SQ2361ES-T1_GE3 适用于多种复杂电路的构建，是现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是在高健壮性工业应用，还是在低功耗消费电子产品中，该 MOSFET 都将助力设计者实现更高的性能和更低的能耗。