类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 28A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@17A,10V |
功率(Pd) | 68W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 880pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRLR2705TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET,设计用于各种电源管理和开关应用。这款器件由知名品牌英飞凌(Infineon)生产,具有极佳的电气特性和宽广的工作范围,使其成为工业和消费电子领域的理想选择。
该MOSFET的漏源电压(Vdss)达到了55V,能够处理较高的电压应用,而其最大连续漏极电流(Id)为28A,这使得它能够满足高电流需求的应用场合。这种高电流能力使其非常适合用于电机控制、电源开关、DC-DC转换器等需要高功率处理的设备。
IRLR2705TRPBF在Vgs=10V时表现出最小的导通电阻(Rds(on)),其最大值为40毫欧(@ 17A,10V)。与其他种类的FET相比,较低的导通电阻可以显著降低功率损耗,提升整体电路效率。同时,该器件的阈值电压(Vgs(th))最大为2V(@ 250µA),确保它能够在较为宽泛的栅极电压条件下稳定工作。
IRLR2705TRPBF在驱动时要求的电压为4V至10V,优化了驱动效率和响应速度,适合多种控制电路。其栅极电荷(Qg)在5V下最大为25nC,可以快速开关,相应的开关损耗非常小,因此可被广泛应用于高频转换电源中。
在输入电容(Ciss)方面,该器件的最大值为880pF(@ 25V),这意味着在高频情况下,器件的输入特性表现优异,有助于实现快速充放电。IRLR2705TRPBF的功率耗散能力高达68W(Tc),使其能够承受较高的功率负载,而不会过热,从而提高其可靠性和耐用性。
该MOSFET的工作温度范围广泛,从-55°C到175°C,显著扩展了其应用领域,这一特性特别适合于极端环境下的电子设备,如汽车电子、航空航天和工业应用。它的高耐温能力确保在极端温度条件下仍然能够稳定工作,适应诸多苛刻的使用条件。
IRLR2705TRPBF采用D-Pak封装(TO-252-3),这一表面贴装型封装方便实现高密度PCB布局,使其在空间限制较大的应用场合也能有效使用。D-Pak封装的设计有助于良好的散热能力,能够满足高功率要求的应用。
综合上述特性,IRLR2705TRPBF广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器、LED驱动电路、工业机器控制,以及其他需要高效电力开关的电子设备。其设计旨在提供低损耗、高效率和高可靠性,满足现代电子产品对能源效率和工作稳定性的严苛要求。同时,由于其多年在市场上的应用经验和性能认证,IRLR2705TRPBF也是许多电气工程师和设计师的首选产品。
综上所述,IRLR2705TRPBF凭借其优异的电气参数、高功率和高温范围,成为了市场上备受青睐的N通道MOSFET之一。无论是电源管理还是其他高功率应用,其优异的性能和灵活的适应性确保能够满足多种行业的需求,为终端产品的高效能和稳定性提供了可信支持。