STP100N6F7

STP100N6F7 产品概述

STP100N6F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），特别设计用于高电流、高电压应用。这款器件的关键参数确保其在极端环境和高功率应用中表现卓越，广泛应用于电力电子、功率管理及转换器等领域。

主要参数

1. 漏源电压 (Vdss): STP100N6F7 支持高达 60V 的漏源电压，使其适用于多种高压应用场景。

2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的条件下，这款 MOSFET 能够承受高达 100A 的连续漏极电流，表现出良好的电流承载能力，适合用于大功率传输和控制。

3. 驱动电压: 该器件的最小驱动电压为 10V，意味着在此电压下可达到最大 Rds(on)，达到较低的导通电阻。

4. 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动下，STP100N6F7 的导通电阻最大值为 5.6 毫欧，这对于降低功耗和提高效率至关重要。在高电流（50A）下，其导通电阻的表现尤为优秀，有助于减小发热和损耗。

5. 开启阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的条件下，Vgs(th) 最大值为 4V，适用于低电压开关和控制应用，有效提高系统的可靠性。

6. 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷的最大值为 30nC，意味着其在开关操作时的效率较高，有助于实现快速开关，降低开关损耗。

7. 输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容最大值为 1980pF，保证了在高频操作时的稳定性能。

8. 功率耗散: STP100N6F7 最大功率耗散为 125W，适用于高功率应用的散热需求，确保在复杂的电气条件下的稳定工作。

9. 工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能承受恶劣环境条件，适合运输和工业等应用。

10. 封装类型: 该产品采用 TO-220-3 封装，具备良好的散热性能，适合通孔安装，方便在电路板上进行布局。

应用场景

STP100N6F7 适用于多种高功率电子应用，例如：

• 电源转换器: 可用于变换器电路、逆变器以及其他电源管理系统，提供高效稳定的电源输出。
• 电机驱动: 在各类电机控制应用中，作为开关元件，STP100N6F7 能够有效控制电机的起停和速度调节。
• 电动汽车: 得益于其高电流和高耐压特性，此器件在电动汽车的驱动系统中的应用前景广阔。
• 工业控制: 在各种工业自动化控制系统中，作为开关元件，保证系统稳定运行。

结论

STP100N6F7 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流、高压、低导通电阻及广泛的工作温度范围，使其成为了优质电力电子应用中不可或缺的组件。意法半导体通过STP100N6F7 将高效能与可靠性结合，为客户提供了理想的解决方案。不论是在电源管理、工业控制还是电动汽车领域，STP100N6F7 都展现出了优越的技术优势和应用灵活性。