类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,1.5A |
功率(Pd) | 20W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 305pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11.5pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STD5NK40ZT4 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。作为一款出色的电子元器件,STD5NK40ZT4广泛应用于电源管理和开关电源等领域,特别是在需要高电压和低功耗的场合。以下是该产品的详细规格、特性及其应用场景的综合分析。
STD5NK40ZT4的主要标称参数包括:
这些参数表明STD5NK40ZT4是一款具有良好电气性能的MOSFET,它能够在高电压环境下稳定工作,适合用于高频率和高效能的电力电子应用。
高耐压与高电流能力: 由于其400V的漏源电压能力和3A的持续漏极电流能力,STD5NK40ZT4特别适合在要求高压大电流的复杂电路模块中应用,能够满足现代电源设计的严苛要求。
低导通电阻: 最大导通电阻Rds(on)为1.8Ω(在1.5A,Vgs=10V条件下),这一特性确保了其在通断状态下具有更低的功耗和热损耗,从而提升了整体效率。
宽工作温度范围: STD5NK40ZT4支持-55°C至150°C的工作温度范围,适合各种环境条件,尤其是在工业及汽车电子应用中的高温或低温环境。
快速开关特性: 其栅极电荷小(最大仅17nC),使得在驱动时具备快速开关能力,能够在高频率下运行,适合用于开关电源。
卓越的输入电容表现: 在25V的工作条件下,输入电容为最大305pF,使得驱动电路设计较为简单,帮助减小驱动负担,从而提高系统的稳定性和可靠性。
STD5NK40ZT4广泛适用于多个电子应用场景,包括但不限于:
总体来看,STD5NK40ZT4是一款具备超高性能和卓越稳定性的N沟道MOSFET,集成了高电压、大电流、低功耗等多种优点,适合广泛的应用需求。其出色的技术规格和适用范围,使其成为设计高效电源和驱动电路中的理想选择。通过选择STD5NK40ZT4,工程师们能够为他们的设计提供可靠的解决方案,确保高效的工作性能和卓越的电气特性。