PMEG2010AEH,115 产品实物图片
PMEG2010AEH,115 产品实物图片
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PMEG2010AEH,115

商品编码: BM0000003199
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-123F-2
包装 : 
编带
重量 : 
0.021g
描述 : 
肖特基二极管 430mV@1A 20V 200uA@20V 1A SOD-123F
库存 :
5980(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.584
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.584
--
200+
¥0.377
--
1500+
¥0.328
--
3000+
¥0.29
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG2010AEH,115参数

正向压降(Vf)430mV@1A直流反向耐压(Vr)20V
整流电流1A反向电流(Ir)200uA@20V

PMEG2010AEH,115手册

PMEG2010AEH,115概述

产品概述:PMEG2010AEH,115

概述

PMEG2010AEH,115 是一款高性能肖特基二极管,由知名电子元器件制造商 Nexperia(安世)生产,采用 SOD-123F 表面贴装封装。该二极管专为低电压、高效率的整流应用而设计,具有优异的电流承载能力和低正向压降,适用于各种电子设备及电路设计中。

关键规格

  1. 直流反向耐压(Vr): 20V

    • 该二极管设计能够承受高达20V的反向电压,适合多种低压应用场景,确保在一定的电压范围内运行稳定。
  2. 平均整流电流(Io): 1A

    • PMEG2010AEH,115 能够持续承载最大为1A的整流电流,适合一般的电源转换和整流任务,满足广泛的电流需求。
  3. 正向压降(Vf): 430mV @ 1A

    • 在额定电流(1A)下,该二极管的正向压降为430mV,低于同类元器件的平均水平。这一特性使得其在工作过程中热量生成较少,提高整体能效。
  4. 反向泄漏电流: 200µA @ 20V

    • 反向泄漏电流控制在200µA以内,确保设备在低功耗模式下的稳定性,适用于对功耗敏感的应用。
  5. 封装类型: SOD-123F

    • SOD-123F 封装具有良好的热导性能和空间效率,适合高密度 PCB 布局设计,有助于减小产品体积。
  6. 工作温度范围: 结温最大150°C

    • 设备的工作环境温度可承受高达150°C,提升了应用的灵活性和可靠性,适合在苛刻条件下运作。
  7. 快速恢复特性: 速度= 500ns

    • PMEG2010AEH,115 具备快速恢复特性,非常适用于高频开关电源和快速脉冲应用,能够有效降低开关损耗。
  8. 电容: 70pF @ 5V, 1MHz

    • 二极管在 5V 和 1MHz 频率下的电容值为70pF。低电容特性使其适用于高频率信号的应用,减少信号失真。

应用场景

  1. 电源管理: 可广泛应用于开关电源、充电器和适配器中,作为整流器件使用,提升整体电源效率。

  2. 汽车电子: 在汽车电子设备中,PMEG2010AEH,115 可用于电源整流,以及对瞬态电压的保护,确保汽车电子系统的稳定性和安全性。

  3. 消费电子产品: 在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等设备中,该二极管可作为重要的电能管理组件,经常用于电池充电和管理电路中。

  4. LED 驱动: 适合用于LED驱动电路,为LED提供稳定的电流,同时保持较低的功耗和热量生成。

  5. 数据通信设备: 在需要快速信号切换和低延迟的通信设备中,PMEG2010AEH,115 的快速恢复特性能够有效保证信号的完整性。

结论

PMEG2010AEH,115 肖特基二极管凭借其优越的电气性能、低正向压降和可靠的工作温度范围,成为众多现代电子设计中不可或缺的组件。其多样的应用场景涵盖了电源管理、汽车电子、消费电子及通信设备等领域,体现了Nexperia(安世)在半导体技术方面的领先地位。对于需要高效能和可靠性的设计师来说,PMEG2010AEH,115 是一个值得信赖的选择。