类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 1.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4Ω@10V,1.2A |
功率(Pd) | 42W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 350pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8.6pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: IRFRC20TRPBF
制造商: Vishay Siliconix
类型: N 通道 MOSFET
IRFRC20TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,设计用于各种电力电子应用。这款MOSFET的主要特点包括高耐压、低导通电阻和宽工作温度范围,是现代电源管理系统、DC-DC转换器和自动化设备的理想选择。根据制造商Vishay Siliconix的规格,该器件的漏源电压(Vdss)可达到600V,适合大多数高压应用,具有出色的电流承载能力和热性能。
电流承载能力:
导通电阻:
门极驱动电压:
耐温范围:
封装和安装类型:
输入特性:
IRFRC20TRPBF MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于:
IRFRC20TRPBF是一款由Vishay Siliconix生产的高效能N通道MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻和宽工作温度范围,成为电力电子领域的热门选择。其可靠的性能和广泛的应用范围使得该器件在现代电子设计中占有重要地位。通过采用IRFRC20,工程师们能够在设计中实现更高的效率和稳定性,为客户提供更优质的产品。