类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@10V,4.4A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 51nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.53nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述: IRF7495TRPBF
IRF7495TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件的设计旨在满足广泛的功率管理应用需求,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效电流开关的电子设备。以下是对 IRF7495TRPBF 的详细介绍。
IRF7495TRPBF 的关键参数包括:
IRF7495TRPBF 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总之,IRF7495TRPBF 是一款经过优化的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性、广泛的应用范围和可靠的工作性能,成为当前电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在高效能的电源管理系统中,还是在高温、高压条件下的复杂电子控制系统中,IRF7495TRPBF 都能够提供卓越的可靠性和性能。
对于设计工程师而言,选用 IRF7495TRPBF 将为其电路设计提供强大的支持,确保系统在各个条件下高效、安全地运行。