STL140N6F7

STL140N6F7 产品概述

1. 产品描述

STL140N6F7 是一款高性能 N 通道 MOSFET，专为各种电源管理和开关应用而设计。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）制造，封装方式为 PowerFlat™（5x6 mm），具有出色的热管理性能和电气特性。其主要参数包括最大漏源电压（Vdss）为 60V、连续漏极电流（Id）可达 145A 和低导通电阻 Rds(on) 值，适合高效能的功率转换和电流控制应用。

2. 关键特性

• 高电流能力：该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 145A（Tc），在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
• 低导通电阻：在 10V 的栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 2.5 毫欧，这使得器件在导通状态下的损耗相对较小，有助于提高系统整体效率。
• 宽工作温度范围：该元件的工作温度可高达 175°C，适合在严苛的环境条件下工作，保证了设备的可靠性和稳定性。
• 高功率耗散能力：最大功率耗散能力为 4.8W（Ta）与 125W（Tc），无论是在常温环境还是在组件内部温度相对较高的情况下，均能有效分散热量。
• 快速开关特性：在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷（Qg）最大值为 40nC，显示出该器件具备快速开关的能力，适用于高频率应用。

3. 应用场景

STL140N6F7 MOSFET 适用于多种电子应用，包括但不限于：

• DC-DC 转换器：凭借其高效的电流开关能力，STL140N6F7 是电源管理解决方案中的理想选择。
• 电动机驱动：该器件的高电流和低导通电阻使其非常适合用于电动机控制和驱动电路，确保电机在高负载情况下的稳定性。
• 开关电源：在各种开关电源模块中，STL140N6F7 能够有效地降低能耗，从而提高系统整体的工作效率。
• 充电器：广泛应用于工业和消费电子产品的充电器设计，提供快速和高效的充电解决方案。

4. 机械和电气规格

• 封装：PDFN-8 (5x6 mm)，适合自动化表面贴装。
• 最大栅源电压（Vgs）：±20V，允许在较宽电压范围内安全操作。
• 输入电容（Ciss）：2700pF @ 25V，能够降低开关损耗，提高系统效率。

5. 性能优势

STL140N6F7 的设计充分考虑了高性能和环境稳定性之间的平衡。其高电流能力和低导通电阻特性能够显著降低功率损耗，特别是在高频操作时表现优异。与其他同类产品相比，意法半导体的这款器件在温度和电流极限下仍能保持良好的稳定性，使其成为高可靠性应用的理想选择。

6. 总结

总的来说，STL140N6F7 是一款高效能且具备广泛应用潜力的 N 通道 MOSFET。凭借出色的电气特性和优异的热管理能力，它在电源管理、开关电路及电动机控制等多个领域展现出了极大的应用价值。相信这款产品能够为您的设计提供强有力的支持，助力实现更高效、更可靠的电子系统。