类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@0.8A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 300mV@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 110pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
US6K4TR是一款由ROHM(罗姆)公司制造的高性能场效应管(MOSFET),其封装类型为TUMT6,专为高效能应用设计。该MOSFET在开启状态下提供低导通电阻,使其在小型电子设备中的应用如开关电源、马达驱动、以及其他需要高频率开关的电路中表现卓越。US6K4TR是一款双N通道FET,具备出色的电气性能和优势,使其成为众多电子设计中不可或缺的组件。
电气特性:
输入和驱动特性:
温度耐受性:
功率特性:
US6K4TR广泛应用于各类电子产品中,包括但不限于:
US6K4TR MOSFET是ROHM公司推出的一款具备卓越性能的小型N通道场效应管,凭借其低导通电阻、高温耐受性及灵活的应用前景,广泛适用于各类现代电子设备。对于设计师而言,选择US6K4TR不仅有助于提高产品效率和稳定性,同时也在一定程度上降低了设计复杂度及元器件数量,是优良的解决方案。无论是在消费电子、工业应用还是汽车电子领域,US6K4TR都是实现高性能电路设计的理想选择。