类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,11.5A |
功率(Pd) | 940mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
简介
DMP3017SFGQ-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为高效能电源管理和功率控制应用设计。其工作电压为30V,最高支持连续漏极电流为11.5A,适合多个领域的应用,包括电源转换、马达驱动和其他高功率电路。
技术参数
DMP3017SFGQ-7 的重要技术参数包括:
封装与安装
DMP3017SFGQ-7采用PowerDI3333-8封装类型,适合表面贴装(SMD)技术,设计紧凑,使其在节省空间的同时,保持优良的散热性能。该封装不仅提高了安装便利性,还促进了与其他元器件的集成,适应现代电路板设计的需要。
应用场景
DMP3017SFGQ-7 MOSFET广泛适用于需要高效率和低开关损耗的多种应用场景,如:
总结
作为一款高性能的 P 沟道 MOSFET,DMP3017SFGQ-7以其优越的电气特性和强大的功率承载能力,在多个领域展现出良好的应用前景。其综合性能不仅有助于提高电路的能效,还能够在设计中为工程师提供更大的灵活性和可靠性。在未来的电子设备和系统设计中,DMP3017SFGQ-7将是一个理想的重要元件选择,能够满足严苛的应用需求,推动电子技术的发展与创新。