类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V,9A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.06nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.2pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介 STP24N60M2是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有优越的电气特性与热管理能力,主要应用于高压开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET采用TO-220-3封装,具有良好的散热性能,适合在较高功率下工作。
关键参数
工作温度与稳定性 STP24N60M2的工作温度范围广泛,能够在-55°C到150°C的环境条件下可靠工作。这使得该设备适合在苛刻的工业及环境条件下操作,不仅提高了应用的灵活性,而且减少了由于温度变化带来的故障风险。
应用领域 得益于其优异的电气性能,STP24N60M2广泛应用于多个领域:
总结 STP24N60M2是一款性能卓越的N通道MOSFET,凭借其高达600V的耐压能力、可靠的导通特性及广泛的工作温度范围,非常适合用于各类高功率和高电压应用。该器件不仅提升了设备的工作效率,还降低了开关损耗,延长了产品的使用寿命,是当前市场上具有竞争力的电子元器件之一。通过选择STP24N60M2,工程师们可以更轻松地设计和集成高效、可靠的电源管理解决方案。