C2M1000170D

产品概述：C2M1000170D

概述

C2M1000170D是一款由Cree/Wolfspeed制造的高性能N通道碳化硅（SiC）MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件专为高电压和高效率应用设计，满足工业和电力电子领域对高性能开关元件的需求。C2M1000170D的关键规格包括最大漏源电压1700V、连续漏极电流4.9A、功率耗散最大可达69W，工作温度从-55°C到150°C，广泛适用于电源转换、逆变器和其他高压应用场景。

主要特点

1. 高电压能力：C2M1000170D的漏源电压额定值达到1700V，适合要求严格的高电压应用。这使其在高压直流（HVDC）系统和工业电机驱动等领域中表现出色。

2. 高温工作范围：该器件具有出色的工作温度范围，能够在-55°C到150°C间稳定工作。这为其在极端环境下的应用提供了保障。

3. 低导通电阻：在2A和20V的条件下，C2M1000170D的最大导通电阻为1.1欧姆。这意味着在开关操作中能够减小功率损耗，提高效率。

4. 快速开关特性：具有20ns的开关速度（典型值），使得该器件能够在高频操作中表现优异，适合需要快速开关的应用，如开关电源和高频逆变器。

5. 栅极电荷与输入电容：在20V Vgs条件下，栅极电荷（Qg）为13nC，输入电容（Ciss）在1000V下为191pF。这些特性使其能够有效驱动，降低驾驶功耗，提高整体系统效率。

6. 兼容性强：该器件采用通孔安装类型，便于与不同PCB设计集成，适配多种电路拓扑。

应用领域

C2M1000170D广泛应用于各类电力电子系统中，具体包括：

• 电源转换：适用于高压应用中的DC/DC和DC/AC转换器，提供高效率和稳定性。
• 逆变器：在太阳能逆变器、电动汽车和工业驱动技术中，利用其高效能和快速切换能力，实现有效的能量转换。
• 电机驱动：高效率和高温工作范围使其成为电机控制系统的理想选择，特别是在需要高电压操作的电机中。

结论

C2M1000170D是一款结合高电压能力、低导通电阻及快速开关特性的碳化硅MOSFET，能够满足现代电力电子设备在效率与耐用性上的多重需求。作为高负载和高温度环境下的理想选择，C2M1000170D不仅提升了系统的整体性能，也为各类创新应用提供了可靠的基础。Cree/Wolfspeed在电力电子领域的丰富经验及其产品的高质量保证使得C2M1000170D成为业内领先的选择之一。