NUP2105LT1G 产品实物图片
NUP2105LT1G 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NUP2105LT1G

商品编码: BM0000003738
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
其他
库存 :
70370(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
0.484
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.484
--
200+
¥0.312
--
1500+
¥0.271
--
3000+
¥0.24
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NUP2105LT1G参数

反向截止电压(Vrwm)24V最大钳位电压44V
峰值脉冲功率(Ppp)350W击穿电压26.2V
通道数双路工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型ESD

NUP2105LT1G手册

empty-page
无数据

NUP2105LT1G概述

产品概述:NUP2105LT1G

简介

NUP2105LT1G是一款由ON Semiconductor生产的高性能齐纳二极管,专为各种电子应用中的过电压保护和信号调节而设计。它采用表面贴装型(SMD)封装,符合紧凑型电路板设计的需求,适用于空间有限的现代电子设备。这款器件的宽工作温度范围、低输入电容和快速响应特性,使其在多个应用场景中表现优异。

基本参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 封装类型:SOT-23-3
  • 器件状态:有源
  • 电压规格
    • 反向断态电压(Vr):典型值为24V(最小值)
    • 击穿电压(Vbr):最小值为26.2V
    • 最大峰值箝位电压:44V
  • 脉冲电流处理能力
    • 峰值脉冲电流(Ipp):8A(根据不同波形可为8/20µs)
    • 峰值脉冲功率:可达350W
  • 电容特性:30pF @ 1MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C
  • 双向通道:2

关键特性

  1. 优秀的电压保护:NUP2105LT1G能有效限制电压突波,防止电路发生损坏。其反向断态电压和击穿电压设计,使其在多种应用中保证稳健工作。

  2. 高峰值脉冲能力:该器件的8A峰值脉冲电流能力以及350W的峰值脉冲功率,确保了可以承受快速的电流脉冲,适合用于瞬态电压抑制(TVS)场合。

  3. 宽广的工作温度:NUP2105LT1G的工作温度范围从-55°C到150°C,适应了各种严苛的工作环境,满足汽车电子、工业控制及消费电子的要求。

  4. 低电容:30pF的输入电容特性意味着该器件可以在高频信号传输中保持良好的响应特性,减少信号失真,适合高频应用。

  5. 空间节省的封装:SOT-23-3 的紧凑型封装设计使其非常适合表面贴装技术(SMT),有利于提高生产效率和降低空间成本。

应用场景

NUP2105LT1G可应用于以下领域:

  • 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和其他个人电子设备中,作为过压保护器件,防止瞬态电压损伤敏感组件。

  • 汽车电子:在汽车电子控制单元(ECU)中,保护复杂的电路免受电压瞬变影响。

  • 工业控制系统:为工业设备提供稳定电压供应,同时防止电磁干扰和电涌对设备造成危害。

  • 通信设备:在各种通信设备(如路由器和交换机)中,确保数据传输的稳定性。

  • LED驱动电源:作为LED驱动电源中的保护元件,提供稳定电流,确保LED发光效果一致。

结论

综上所述,NUP2105LT1G是一款多功能的高性能齐纳二极管,结合了优异的电压保护能力、宽工作温度范围和紧凑的封装设计,适用于各种工业和消费电子应用。无论是在汽车、工业控制还是高频通信设备中,它都能发挥至关重要的作用。

如需进一步技术支持或数据资料,请访问ON Semiconductor官方网站,或联系他们的技术支持团队。选择NUP2105LT1G,确保您电子产品的稳定性和可靠性。