类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 1000@4V,4A | 功率(Pd) | 1.75W |
集电极电流(Ic) | 8A | 特征频率(fT) | 4MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 4V@8A,80mA |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
MJD122T4G是一款高性能的NPN达林顿晶体管,专为高电流和高电压应用而设计。它的最大集电极电流(Ic)可达到8A,同时具备高达100V的集射极击穿电压,因而广泛应用于电机驱动、开关电源和其他功率控制系统。此晶体管的电流增益达到1000,能够有效放大信号,满足多种低功耗驱动需求。
MJD122T4G凭借其卓越的特性和性能,被广泛应用于以下领域:
达林顿晶体管的设计使其在低基极电流(Ib)下能够有效控制高集电极电流(Ic)。MJD122T4G利用两个晶体管的级联连接使得信号得以放大,基极输入极小的信号便能驱动较大的负载。这种增益特性使其特别适合用于低功耗驱动高功率负载的场景。
MJD122T4G是一款以高电流、高电压及超高增益为特点的达林顿型NPN晶体管,凭借其优秀的性能和可靠性,它为众多应用提供了理想的解决方案。安森美半导体(ON Semiconductor)作为其制造商,确保了该产品在性能和质量上的一致性。对于寻求高效驱动和功率控制解决方案的设计工程师而言,MJD122T4G无疑是一个值得考虑的优秀选择。无论是在嵌入式控制系统中,还是在复杂的电源管理应用中,其广泛的适用性和高性能表现都使其成为了许多设计者的首选器件。