MJD122T4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD122T4G

商品编码: BM0000003899
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.438g
描述 : 
达林顿管 1.75W 100V 1000@4V,4A NPN TO-252-2(DPAK)
库存 :
1937(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.63
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.63
--
2500+
¥1.55
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD122T4G参数

类型NPN集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)1000@4V,4A功率(Pd)1.75W
集电极电流(Ic)8A特征频率(fT)4MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)10uA集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)4V@8A,80mA
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)

MJD122T4G手册

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MJD122T4G概述

MJD122T4G 产品概述

1. 概述

MJD122T4G是一款高性能的NPN达林顿晶体管,专为高电流和高电压应用而设计。它的最大集电极电流(Ic)可达到8A,同时具备高达100V的集射极击穿电压,因而广泛应用于电机驱动、开关电源和其他功率控制系统。此晶体管的电流增益达到1000,能够有效放大信号,满足多种低功耗驱动需求。

2. 关键参数

  • 类型: NPN - 达林顿
  • 最大集电极电流 (Ic): 8A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 100V
  • 饱和压降 (Vce饱和): 最大4V(在80mA及8A情况下)
  • 截止集电极电流 (Ic) 最大值: 10µA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小1000 @ 4A 和 4V
  • 最大功率 (Ptot): 1.75W
  • 频率响应: 4MHz
  • 工作温度范围: -65°C至150°C(TJ)
  • 封装类型: TO-252-3 (DPAK)

3. 应用领域

MJD122T4G凭借其卓越的特性和性能,被广泛应用于以下领域:

  • 电动机驱动: 由于其高电流承载能力,适合用于绳索电动机或直流电动机控制。
  • 开关电源: 可在高效的开关电源设计中担任高负载电流转换的核心元件。
  • 功率放大器: 由于其高增益特性,适用于音频放大器和信号放大电路。
  • 自动化控制系统: 在现代自动化和控制系统中,能够作为开关元件,以控制负载。

4. 工作原理

达林顿晶体管的设计使其在低基极电流(Ib)下能够有效控制高集电极电流(Ic)。MJD122T4G利用两个晶体管的级联连接使得信号得以放大,基极输入极小的信号便能驱动较大的负载。这种增益特性使其特别适合用于低功耗驱动高功率负载的场景。

5. 特性与优势

  • 高增益: MJD122T4G的DC电流增益(hFE)最小值为1000,确保在各种条件下仍能实现良好的信号放大。
  • 高电压和电流能力: 最大的Ic和Vce,使其能够适应实际工作中出现的高负载环境。
  • 宽温度范围: -65°C到150°C的工作温度范围,保证了其在严苛环境下的可靠操作。
  • 表面贴装技术: 使用TO-252 (DPAK)封装,简化了在电路板上的安装工艺,提升了生产效率。

6. 结论

MJD122T4G是一款以高电流、高电压及超高增益为特点的达林顿型NPN晶体管,凭借其优秀的性能和可靠性,它为众多应用提供了理想的解决方案。安森美半导体(ON Semiconductor)作为其制造商,确保了该产品在性能和质量上的一致性。对于寻求高效驱动和功率控制解决方案的设计工程师而言,MJD122T4G无疑是一个值得考虑的优秀选择。无论是在嵌入式控制系统中,还是在复杂的电源管理应用中,其广泛的适用性和高性能表现都使其成为了许多设计者的首选器件。