类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 7.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,4.6A |
功率(Pd) | 42W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 360pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 34pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述
IRFU120PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于多种电子应用。该MOSFET 由威世(VISHAY)品牌生产,封装形式为 TO-251-3,具有紧凑的结构和可靠的性能。这款器件的额定漏源电压为 100V,最大连续漏流可达到 7.7A,特别适合电源管理、开关电源和电机驱动等应用场景。
技术规格
性能特点
IRFU120PBF 采用先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on)),在高电流下仍能保持较小的功耗和较低的发热量。由于其较高的泄漏电压和工作温度范围,IRFU120PBF 可以在多种恶劣环境条件下稳定工作。它的快速开关时间和低栅极电荷使其在高频率应用中表现出色,能有效提高系统的整体效率。
应用场景
结论
IRFU120PBF 是一款适应性强、性能卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其高效的电流控制和高耐压特性,适合用于各种电子和电气应用。无论是在开关电源,电机驱动,还是其他需要高效率、高可靠性的领域,IRFU120PBF 都是一种理想的选择。威世公司的技术保障和高质量标准,使得 IRFU120PBF 能够在全球市场上获得广泛的认可与使用。