SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3 产品概述

一、产品概述

SI7613DN-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 P 通道 MOSFET，专为各种换流器和功率管理应用而设计。其极小的导通电阻和高温稳定性使其成为了现代电力电子领域中非常受欢迎的选择。本产品采用 PowerPAK® 1212-8 封装，具备良好的热管理性能，广泛应用于电动汽车、电源管理和工业控制等领域。

二、关键规格

1. FET 类型：P 通道
2. 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压（Vdss）：20V，适用于低压电路
4. 连续漏极电流（Id）：35A（在 25°C 条件下）
5. 驱动电压：支持 4.5V 和 10V 的高效率驱动
6. 导通电阻：最大值为 8.7 毫欧 @ 17A，10V，提供优良的电流传导能力
7. 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2.2V @ 250µA，适用于低电压开关调控
8. 栅极电荷（Qg）：最大值为 87nC @ 10V，降低了开关损耗
9. 栅源电压（Vgs）：最大值为 ±16V，确保合理的栅极驱动安全范围
10. 输入电容（Ciss）：最大值为 2620pF @ 10V，降低了开关特性对频率的影响
11. 功率耗散：在环境温度下为 3.8W，在晶体管底板温度下为 52.1W，提供更高的散热能力
12. 工作温度范围：-50°C 到 150°C，适应极端环境条件
13. 封装类型：表面贴装，简化了生产过程并优化了PCB布局

三、产品特点

SI7613DN-T1-GE3 的设计结合了高效能和高可靠性。其较低的导通电阻，使其在高电流应用中发热量低，从而提高整体能效及系统的稳定性。此外，广泛的工作温度范围使其能够在苛刻的工业环境中稳定运行。电气特性也显示了高灵敏度——即阈值电压较低，可以在较低的驱动电压下实现开关功能，这为低功耗应用提供了良好的解决方案。

该 MOSFET 采用表面贴装型封装，简化了生产线工艺，提升了安装密度，适合各类现代电子设备中的使用。同时，其封装设计也优化了散热，减少了因温升引起的性能退化，有助于电路的长期稳定运行。

四、应用领域

SI7613DN-T1-GE3 被广泛应用于多种领域，包括但不限于：

• 电源管理系统：在开关电源、DC-DC 转换器中，作为开关元件以实现高效能的电能转换。
• 电动汽车：用于电池管理系统与电动机驱动电路中，以提升整体能效和持久性。
• 工业设备：驱动电机、传感器和其它电子负载，确保在高负荷和恶劣条件下的正常运行。

五、总结

总的来说，SI7613DN-T1-GE3 是一款性能卓越的 P 通道 MOSFET，凭借其高电流承受能力、低导通电阻、宽温工作范围和优异的驱动特性，能够满足多种复杂应用需求，是现代电力电子产品设计中的理想选择。对产品的深入了解及合理应用，将极大提升电子系统的整体性能与可靠性。