FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1030pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
STS5DNF60L 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道场效应管 (FET)。其设计旨在满足汽车行业要求,符合AEC-Q101标准,具备出色的电气性能和可靠性,适合用于各种要求严格的应用。本文将详细阐述该元器件的主要特性和应用场景。
FET 类型: STS5DNF60L 是一款双N通道的场效应管,能够在实现高效电流控制的同时,提高开关速度和降低功耗。
漏源电压(Vdss): 最大工作漏源电压为60V,适合于多种中压电气应用。同时,这一电压等级确保其在高电压情况下也能可靠工作。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,连续漏极电流可达5A,使其在多个负载条件下具备良好的导电能力。
导通电阻(Rds(on)): 在特定条件下(@ 2A,10V),该器件的最大导通电阻可达到45毫欧。这意味着在工作时能有效减少损耗和发热,提高整体能效。
栅极阈值电压(Vgs(th)): 在250µA的漏电流条件下,Vgs(th)最大值为2.5V,显示其良好的逻辑电压兼容性,可以直接与逻辑电平信号联动。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷量为15nC(@ 4.5V),这一小值表明切换速度快,非常适合高频开关应用。
输入电容(Ciss): 在25V的条件下,输入电容最高为1030pF,这个数值能够确保高效的信号传输和反馈,适合用于更复杂的电路设计。
STS5DNF60L 的工作温度范围广,从-55°C至150°C,确保其可以在极端环境下稳定工作。该器件采用8-SO(小型表面贴装封装),封装尺寸为0.154"(3.90mm宽),适合在空间受限的应用中使用。
STS5DNF60L 由于其卓越的性能,广泛应用于多个领域:
汽车电子: 由于其符合AEC-Q101认证,特别适合汽车动力系统、车载数据处理和电源管理等领域。这种器件能够帮助降低汽车电气系统的功耗,从而提高汽车能效和稳定性。
开关电源: 可在开关电源转换器中作为开关元件使用,通过调节开关频率和占空比,优化能量转化效率。
电机驱动控制: 在电机控制应用中,STS5DNF60L能够实现高效的功率控制和热管理,支持电动车辆及工业设备的电机系统。
可再生能源系统: 在光伏和风能发电系统中,作为开关器件,能够提高控制精度和系统效率,帮助可再生能源更高效地并网。
STS5DNF60L 是一款多功能、高性价比的N通道FET,具备卓越的电气特性及宽广的应用范围。凭借其超低导通电阻、高频特性以及高电压承受能力,该器件在现代电子设计中扮演着重要角色,尤其是汽车、工业和能源等领域。随着对高性能、高能效电子产品需求的不断增加,STS5DNF60L 有望继续在众多应用中发挥其潜力。