功率(Pd) | 225mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | PNP |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 集射极击穿电压(Vceo) | 25V |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA,80mA | 集电极截止电流(Icbo) | 150nA |
集电极电流(Ic) | 1.5A |
L8550HQLT1G 是一款高性能的PNP型三极管,广泛应用于电子电路中,用于信号放大和开关等功能。作为一款集成了高电流和高电压特性的器件,L8550HQLT1G 适用于各种中低功率的应用场景,其额定功率可达225mW,工作电压可达25V,最大集电电流可达到1.5A,能够满足多种电路设计的要求。
L8550HQLT1G 的封装形式为SOT-23(SOT-23-3),这是一种小型表面贴装器件封装,适合于大规模生产和节省PCB板空间。该组件由乐山无线电(LRC)生产,确保了优质的制造工艺及稳定的性能。
L8550HQLT1G 的应用范围非常广泛,主要包括但不限于:
L8550HQLT1G 作为一种三极管,其工作原理基于电流控制电流的概念。当其基极施加一个适当的负偏压时,会使得发射极与基极之间形成一定的电流,通过基极电流的控制,产生一个显著放大的集电极电流。此特性使其非常适合用于信号放大。
选择L8550HQLT1G 的几个优势包括:
总的来说,L8550HQLT1G 是一款功能强大且灵活的PNP三极管,凭借其高电流承载能力和较小的封装,成为各类电子应用中的理想选择。无论是为设计新产品还是替换旧设备,这款三极管都能够为电子工程师提供可靠性与创新性的解决方案。