功率(Pd) | 300mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | PNP |
特征频率(fT) | 200MHz | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@0.1mA,10V |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极电流(Ic) | 600mA |
LMBT2907ALT1G 是一款性能优良的PNP型双极结型晶体管 (BJT),具有225mW的功率耗散能力,最大集电极-发射极电压为60V,以及600mA的集电极电流。这款晶体管采用SOT-23封装,适合于各种空间受限的电子应用。其优秀的性能和灵活的应用场景,使其成为许多电子产品设计中的热门选择。
LMBT2907ALT1G广泛应用于多种电子元件和电路中,具体包括但不限于以下几个方面:
LMBT2907ALT1G具有一些竞争优势:
在选择LMBT2907ALT1G时,需要注意其工作环境和负载条件,以确保其在额定范围内运行。适当的散热设计和电路保护措施(如过流、过压保护)可进一步提高其整体性能和可靠性。在实际应用中,合理配置电阻值、确保基极电流适宜,可以优化其工作状态,保持其稳定性。
总的来说,LMBT2907ALT1G是兼具性能与灵活性的PNP型BJT,适合用于多种电子产品及电路设计。无论是在音频设备、开关电路、信号处理或其他应用中,它都能提供可靠的工作性能。由于其出色的特性和简单的应用方式,使得这款器件在现代电子设计中具有广泛的应用前景。对于需要高功率、稳定性和小型封装的电路设计师而言,LMBT2907ALT1G无疑是一个优质的选择。