IMD9AT108 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IMD9AT108

商品编码: BM69415483
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-457
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.433
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.433
--
200+
¥0.279
--
1500+
¥0.243
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

IMD9AT108参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)300mV@100uA,5V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.4V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@5mA,0.25mA输入电阻10kΩ
电阻比率4.7工作温度-55℃~+150℃

IMD9AT108手册

IMD9AT108概述

IMD9AT108 产品概述

IMD9AT108 是一款高性能的数字晶体管,专为现代电子应用而设计。该产品包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,采用预偏压配置,极大地简化了设计复杂度并提升了电路的灵活性。这款数字晶体管在多个领域具有广泛的应用,如音频放大、电压调节、电源开关和信号处理等。

基本规格

IMD9AT108 的主要规格如下:

  • 晶体管类型:包括1个 NPN 和1个 PNP 晶体管,采用预偏压式设计,这为用户提供了更佳的工作稳定性和更快的开关速度。
  • 最大集电极电流 (Ic):可达 100mA,适合中等功率的应用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V,提供了良好的电压容忍能力,能够适用于多样化的电源环境。
  • 基极电阻 (R1):10 kΩ,发射极电阻 (R2):47 kΩ,确保晶体管的稳定工作,为设计提供了灵活的电阻选择。
  • 直流电流增益 (hFE):在典型条件下,hFE 最小值为 68,适合大部分需要增益的应用场景。
  • Vce 饱和压降:在 250µA 和 5mA 的条件下,最大饱和压降为 300mV,保证了高效能量传递,减少了功耗。
  • 集电极截止电流 (Ic(off)):最大值为 500nA,表明了良好的关断特性,可有效减少静态功耗。
  • 跃迁频率:高达 250MHz,使得 IMD9AT108 特别适合于高频信号处理。
  • 最大功率:该产品能够承受高达 300mW 的功率,适合于多种负载条件下工作。

设计与封装

IMD9AT108 的设计采用表面贴装型(SMT)封装,符合现代电子设备的紧凑化趋势。其封装类型为 SC-74 或 SOT-457,需注意选择适合的 PCB 布局,以达到最佳的热管理和电气性能。小尺寸封装方便于自动化组装,确保了制造过程的高效性。

应用场景

IMD9AT108 适用的应用场景非常广泛,包括但不限于以下几个方面:

  1. 音频放大器:由于其高增益特性,该数字晶体管可用于音频信号的放大,确保良好的声音质量。
  2. 开关电源:可用作开关元件,适合电源供应设备中的高频开关应用。
  3. 信号处理模块:其频率特性使其在无线通信及其他信号处理电路中得到广泛应用。
  4. 微控制器接口:在需驱动较大负载的应用中,可作为微控制器与高功率负载间的接口元件,保证信号的实时传输。

结论

IMD9AT108 是一款性价比极高的数字晶体管,依靠其高性能规格和灵活的设计,适合多种电子领域的应用需求。通过合理的电路设计,工程师可以充分发挥其性能特点,推进产品的技术进步。在现代电子技术不断发展的背景下,选择这种高效的晶体管可以帮助设计师实现更高的设备集成度和功能多样性。选择 ROHM 的 IMD9AT108,意味着选择了一种可靠性与性能兼备的解决方案,助力各类电子产品的成功研发与应用。