类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 10000@5V,100mA | 功率(Pd) | 300mW |
集电极电流(Ic) | 300mA | 特征频率(fT) | 125MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100mA,100uA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBTA13-7-F是一款使用NPN达林顿配置的半导体器件,由DIODES(美台)公司制造。该器件的设计旨在实现高性能的电流放大,特别适合多种应用环境,提供出色的电流增益和耐用性。这款晶体管的封装采用了流行的SOT-23类型,使其在空间有限的电子设计中尤为受欢迎。
MMBTA13-7-F广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高增益小信号放大的场合。由于其高电流增益和相对较低的饱和压降,其特别适于以下用途:
整体而言,MMBTA13-7-F是一款功能强大的NPN达林顿晶体管,结合了高电流增益、低饱和压降和宽广的工作温度范围,适用于多种工程应用。其小巧的SOT-23封装不仅提升了设计的紧凑性,也增强了其在现代电子产品中的适用性。这款晶体管的特性使其适合高频与低功率条件下的信号放大及开关应用,是可靠性与性能兼具的理想选择。