类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 75A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2mΩ@10V,75A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 240nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.45nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 840pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF2804STRLPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,符合最新的电子元器件应用需求,具有出色的电气特性和热管理能力。该产品广泛应用于电源管理、马达驱动、电动车辆和其他需要高功率开关的场合。作为英飞凌公司提供的一款品质优良的器件,IRF2804STRLPBF 将卓越的电流承载能力与高效的导通性能结合在一起,适合于各类严苛的应用。
电气特性:
热特性:
封装与安装:
IRF2804STRLPBF 适用于多种应用领域,如:
IRF2804STRLPBF 是一款技术先进且性能卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其优良的电气和热特性,成为了众多电子应用中的理想选择。无论是在电源管理还是工业驱动环境中,IRF2804STRLPBF 都能够满足高画质输出和低能耗的需求,帮助设计工程师实现更高效的电力管理与控制方案。通过选择 IRF2804STRLPBF,用户将能够将其产品的性能提升到全新高度,同时也将订单贡献给全球领先的电子元器件制造商之一——英飞凌。