类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 200A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,75A |
功率(Pd) | 280W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.54nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 360pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFP3206PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高功率应用而设计。其在电力电子领域的广泛应用使其成为了许多关键应用的首选元件,如电源管理、电动机驱动及逆变器等。凭借其优异的电气特性和高温稳定性能,IRFP3206PBF 是高效能电源设计的理想解决方案。
IRFP3206PBF 的主要电气特性包括:
由于其出色的规格,IRFP3206PBF 在多个领域得到广泛应用。以下是一些关键应用场景:
IRFP3206PBF 的设计是针对极端使用条件优化的,提供了众多性能优势:
IRFP3206PBF 是一款集高功率处理能力与高效率于一身的 MOSFET,适合用于需要高可靠性与高效能的电源管理和驱动应用。其先进的性能特征和优良的工艺使其成为设计工程师在开发现代电力电子产品时的重要选择。无论是在工业应用还是消费电子领域,IRFP3206PBF 都能提供优异的性能,助力设备的高效能和长寿命。其在电气特性、热稳定性及系统集成方面的优势,使其在市场上保持竞争力,持续满足日益增长的电源需求。