
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 25A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 285nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 430pF |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
UTT25P10L-TN3-R是一款高效的P沟道场效应管(MOSFET),其具有较高的功率处理能力、优良的开关特性和稳定的工作性能,广泛应用于功率管理、电源转换、开关电路及其他需要高效能的电子应用中。该器件的额定功率为50W,工作电压高达100V,最大连续漏电流可达到25A,能够满足多种电子设计的需求。
结构设计:
高效能:
广泛的应用:
优良的热管理:
UTT25P10L-TN3-R适用于多个行业和应用,包括但不限于:
UTT25P10L-TN3-R是一款具有高功率、高效率的P沟道MOSFET,非常适合现代电子设备对功耗和性能的严格要求。其在各类电源管理及高效开关应用中的可靠性,适应性与性能表现,使其成为电子工程师首选的关键电子元件之一。
无论是用于消费类电子产品,还是工业控制设备,UTT25P10L-TN3-R都能够展现出优越的性能表现和应用灵活性,助力开发者在设计中实现创新与灵活性。