STW15N95K5

STW15N95K5 产品概述

一、产品简介

STW15N95K5是一款高性能的N通道MOSFET，属于意法半导体（STMicroelectronics）产品系列。该器件的主要特点包括支持高达950V的漏源电压、连续12A的漏极电流、以及极低的导通电阻（Rds(On)）。这使得STW15N95K5非常适合在高压、大电流和高效率的电力电子应用中使用。

二、技术参数

1. FET类型：N通道
2. 技术类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
3. 漏源电压（Vdss）：950V
4. 连续漏极电流（Id）：12A（环境温度Tc）
5. 导通电阻（Rds(On)）：最大值500毫欧 @ 6A，10V
6. 阈值电压（Vgs(th)）：最大值5V @ 100µA
7. 栅极电荷（Qg）：最大值40nC @ 10V
8. 栅源电压（Vgs最大值）：±30V
9. 输入电容（Ciss）：最大值900pF @ 100V
10. 功率耗散：最大值170W（环境温度Tc）
11. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（结温TJ）
12. 封装类型：TO-247
13. 封装外壳：TO-247-3

三、应用场景

STW15N95K5非常适合于各种高压应用，特别是在电源管理、电动机驱动和逆变器等领域。以下是一些具体应用场景：

1. 开关电源：该器件能够在高电压及高电流环境下高效工作，为开关电源系统提供良好的性能。
2. 电动机控制：在电动机控制电路中，STW15N95K5可用于高压MOSFET驱动，提升系统的能效和可靠性。
3. 逆变器：在太阳能逆变器及其他可再生能源逆变器中，可以充分利用其高耐压和低导通电阻特性，减少功率损耗。
4. 高压驱动电路：由于其卓越的热性能和功率处理能力，该MOSFET可用于各种高压驱动电路，确保设备的稳定性与可靠性。

四、产品优势

1. 高耐压能力：950V的漏源电压使得STW15N95K5在高压应用场景中具有明显的竞争优势。
2. 低导通电阻：最大500毫欧的导通电阻降低了功率损耗，提高了系统的整体效率。
3. 宽工作温度：具有-55°C至150°C的工作温度范围，确保了在极端环境下也能稳定工作，适合各种严苛的应用条件。
4. 良好的热管理：170W的最大功率耗散能力，使得该器件在瞬时高负载情况下仍能保持优秀的性能。
5. 优化的栅极驱动：40nC的栅极电荷（Qg）使得栅极驱动设计更加简化，提升了开关速度，减少了开关损耗。

五、总结

STW15N95K5 N通道MOSFET凭借其优秀的电气特性和广泛的应用兼容性，成为高压和高功率电子设计中的理想选择。无论是在新能源技术、工业自动化设备、还是一般的电源应用，该器件都展现出优异的性能以及广泛的适用性。选择STW15N95K5，意味着选择了一款持久耐用、高效的电子元件，为您的设计提供强有力的支持。