MMBFJ113
MMBFJ113参数
| 漏源电压(Vdss) | 35V | 连续漏极电流(Id) | 2mA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100Ω@0V,1.0mA | 功率(Pd) | 350mW |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@1.0uA | 输入电容(Ciss@Vds) | 28pF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBFJ113手册
MMBFJ113概述
MMBFJ113 产品概述
一、引言
在现代电子电路中，场效应晶体管（FET）因其高输入阻抗、低功耗和良好的热稳定性而受到广泛应用。MMBFJ113 是一款 N 通道的结型场效应晶体管（JFET），它设计用于各种低功耗、高灵敏度的应用场合。该器件特别适用于音频放大器、信号处理和开关电路等场景。本文将对 MMBFJ113 的基本参数、特性、应用和优势进行详细介绍。
二、基本参数
电阻 RDS(On): 该器件的 RDS(On) 为 100 Ohms，表示在导通状态下的沟道电阻。这一参数决定了流经元件的电流和生成的功耗，较低的 RDS(On) 有助于降低功耗。
安装类型: MMBFJ113 采用表面贴装型（SMD）设计，便于现代电子设备的自动焊接和小型化.
工作温度范围: 器件可在 -55°C 到 150°C 的温度范围内正常工作，使其适用于极端环境下的应用。
漏极电流 (Idss): 在 Vds=15V 和 Vgs=0V 的条件下，漏极电流最大为 2mA。这一特性使得 MMBFJ113 能够在较高的压差下工作，同时仍保持适当的电流输出。
截止电压 (VGS off): 当 Vgs 逐渐增大到 500mV 时，漏极电流会降至 1µA。这表明该器件在关闭状态下的漏电流非常低，有助于减少待机功耗。
击穿电压 (V(BR)GSS): 器件的 V(BR)GSS 为 35V，确保在高压应用下能够承受一定的逆向电压。
最大功率: 最大功耗可达到 350mW，能够满足大多数小功率应用的需求。
封装类型: MMBFJ113 提供 SOT-23-3 封装，这是一种常见的小型表面贴装封装，适合多种电路布置。
三、主要特性
高输入阻抗: MMBFJ113 的高输入阻抗可有效隔离前级电路，降低信号损失，适用于高灵敏度的信号放大应用。
低噪声性能: 该配件的设计确保了较低的噪声系数，使其在音频和信号处理应用中表现优异。
宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，确保了在极端环境中的可靠性，同时可用于汽车电子和工业控制等领域。
四、应用场景
MMBFJ113 适用于广泛的应用，包括但不限于以下几种场景：
音频放大器: 由于其低噪声特性，适合用于高保真音频设备中的信号放大单元。
无线电频率放大器: 在无线电和通信设备中，用作高频信号的低噪声放大器。
传感器应用: 在各种传感器应用中，MMBFJ113 用于放大微弱的传感信号，例如温度传感器、光电传感器等。
开关控制: 由于其出色的导通和截止特性，该 FET 可以用于开关电路中，控制其他电路的工作状态。
五、总结
MMBFJ113 是一款性能优异的 N 通道 JFET，凭借其低功耗、高输入阻抗及宽温度适应性，使其成为各种电子产品、信号处理方案及传感器应用的理想选择。ON (安森美) 作为该器件的制造商，为其提供可靠的质量保证，使得 MMBFJ113 在市场上受到广泛欢迎。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，MMBFJ113 的多功能性和高性能都得到了充分的体现。