STD3N80K5

产品概述：STD3N80K5 N沟道MOSFET

产品简介

STD3N80K5是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，专为高压和高功率应用设计。此MOSFET的最大漏源电压（Vdss）为800V，最大功率耗散（Pd）可达60W，额定连续漏极电流为2.5A，使其在许多电力电子应用中表现出色。

主要参数

1. 工作温度范围

   • STD3N80K5适应广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C (TJ)，能够在极端环境下正常工作。

2. 电气特性

   • 漏源电压（Vdss）： 该器件的最高安全操作漏源电压为800V，适合高压电源和开关应用。
   • 导通电阻（Rds(on)）： 在10V的栅极驱动下，导通电阻最大值为3.5Ω @ 1A，确保低导通损耗，提升整体效率。
   • 栅极电荷（Qg）： 最大栅极电荷为9.5nC @ 10V，意味着该器件在高频开关应用中具有良好的响应特性。
   • 输入电容（Ciss）： 在100V的漏源电压下，输入电容的最大值为130pF，有利于提高开关速率，减少开关损耗。

3. 封装与布局

   • STD3N80K5采用DPAK封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装。这种封装形式便于自动化贴装，并且通过较大的接触面增大了散热效率，适合高功率密度设计。

4. 驱动电压

   • 此器件的栅极源电压(Vgs)的最大值为30V，操作简单，便于与常见的控制电路兼容。其门极电压阈值Vgs(th)的最大值为5V @ 100µA，使其能够在较低电压条件下快速导通。

应用场景

STD3N80K5可以广泛应用于各种高压和高功率的电力电子设备，例如：

• 开关电源（SMPS）： 作为主开关器件，在AC-DC或DC-DC转换中提供高效的能量转换。
• 逆变器： 在太阳能逆变器和变频器中，用于驱动电机和调节电流。
• 电热产品： 可用作电加热器、电炉等的开关驱动。
• 电机驱动器： 适合用于控制直流电机或步进电机的驱动电路。
• 高压开关控制： 可用于高压电源的控制系统中，确保安全可靠的操作。

竞争优势

STD3N80K5不仅具备高压和高功率的出色性能，还具有迅速的开关速度和低能耗特性，特别适合追求高效率和高可靠性的现代电子应用。意法半导体作为全球领先的半导体供应商，凭借其先进的制造工艺和严格的质量控制，确保了这一产品在市场上的竞争力。

总结

总之，STD3N80K5是一款性能优越、适应范围广泛的N沟道MOSFET，适合各类高电压及高功率电子应用。凭借其优秀的电气特性、良好的热管理能力，以及合理的封装设计，STD3N80K5将为设计师带来更高的设计灵活性和系统性能。同时，其优良的工作可靠性也为最终产品的长寿命提供了保障，是现代高科技电力电子应用的理想选择。