集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 20@5mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2.2V@5mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 150mV@5mA,0.5mA |
输入电阻 | 4.7kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC043EEBTL产品概述
DTC043EEBTL是一款高性能的NPN型数字预偏置晶体管,主要用于开关和放大器应用。该器件由知名的半导体制造商ROHM(罗姆)生产,具备可靠的工作性能和优异的电气参数,适合在各种电子设备中使用,如消费电子、通信设备及工业控制系统等。
基本参数
DTC043EEBTL的最大集电极电流(Ic)可达100mA,最大集射极击穿电压(Vce)为50V,使其能够适应中等功率范围的应用场合。由于其特殊的预偏置设计,该晶体管能够在较低的输入电流(Ib)下提供足够的集电极电流,优化了功率的使用效率。
该器件的基极电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为4.7 kOhms,这使得在不同工作条件下,DTC043EEBTL能够保持良好的线性工作状态,以实现稳定的放大和开关性能。晶体管的直流电流增益(hFE)在Ic=5mA时能达到20的最小值,保证了足够的增益以适应多种电路设计要求。
电气性能
DTC043EEBTL的饱和压降(Vce(sat))在典型工作条件下为最大150mV(@500µA,5mA),意味着在高频开关应用时,其功率损耗可以得到有效控制。此外,该器件的频率响应高达250MHz,适合用于高速信号处理,能够胜任需要快速开关的应用场景。
封装与安装
该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为EMT3F(SOT-416FL),封装尺寸紧凑,便于在现代小型化电子设备中应用。表面贴装技术(SMT)使DTC043EEBTL适合自动化生产,提高了生产效率及可靠性。
应用场景
DTC043EEBTL特别适合于各种数字电路、开关电源和信号放大器应用。由于其小型封装和良好的电气性能,该器件广泛应用于通信设备(如手机、路由器)、消费电子(如电视、音响系统)、以及工业控制系统等。例如,在手机中,该器件可用于音频放大或开关电源部分,增强了手机的工作性能和续航能力。
总结
DTC043EEBTL作为一款功能强大且高效的NPN数字预偏置晶体管,凭借其显著的电气参数和优良的工作特性,在实际应用中提供了良好的可靠性与稳定性。无论是高频开关电流应用,还是中等功率放大电路,DTC043EEBTL都展现出广泛的应用潜力,是设计人员在进行电路设计时一个理想的选择。在当前电子行业不断追求小型化和高效率的背景下,该产品凭借其高增益、快速响应和低功耗的特性,将继续引领电子元器件市场的发展潮流。