晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 420@2mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@100mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BC847C-TP 是一款由美微科 (MCC) 生产的高性能 NPN 型晶体管,广泛应用于多种电子电路中,例如开关、放大器和小信号处理电路。这款晶体管以其优异的性能特点,成为了设计工程师在模拟和数字电路中常用的元器件之一。
BC847C-TP 的最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,适合用于中小功率的应用场景。它的集射极击穿电压 (Vceo) 达到 45V,这使得它能够承受相对较高的电压,适合用于多种电源电压下的电路设计。此外,晶体管的饱和压降在不同的基极电流 (Ib) 情况下分别为 500mV,特别是在 5mA 和 100mA 的条件下,可以有效降低功耗并提高效率。
在低电流状态下,BC847C-TP 的集电极截止电流 (Icbo) 最大仅为 100nA,这表明在关断状态下该晶体管的漏电流非常微小,有助于提高电路效率,尤其适用于高精度测量和低功耗应用。
该晶体管的直流电流增益 (hFE) 也表现出色,在 2mA 电流和 5V 工作条件下,最小增益可达到 420,这意味着即使在较低的基极电流输入下,也能实现良好的集电极电流输出能力,从而使得其在放大特性上具备较高的灵活性。
BC847C-TP 的跃迁频率为 100MHz,表明其在高频信号处理中的能力。这样的性能使其适合用于 RF 电路、调制解调器和其他高频通信设备,为设计师提供了在不同频率范围内广泛应用的可能。
该晶体管支持宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C (TJ),确保它在极端气候条件下也能稳定工作。这一特性使得 BC847C-TP 在汽车电子和军事航天等领域尤其受欢迎,这些领域对温度的要求非常苛刻。
BC847C-TP 采用 SOT-23 表面贴装封装(TO-236-3,SC-59),这种小型化的设计使得其在空间受限的电路板设计中表现出色。表面贴装技术(SMT)也使得生产效率提高,便于大规模集成和自动化焊接,同时还能减少引线电感,提高电路的高频响应能力。
BC847C-TP 可广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
BC847C-TP 是一款高性能的 NPN 型晶体管,凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和多种封装形式,使其在现代电子设计中具备广泛的应用潜力。作为专业设计人员,BC847C-TP 具有极高的性价比和灵活性,能够满足不同场合的设计需求,值得在多种项目中考虑选用。