集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 33@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@20mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 100mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 1kΩ | 电阻比率 | 10 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTA113ZUAT106 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款高效能,适用于各种电子应用的PNP型数字晶体管。该器件采用SC-70/SOT-323封装,通常适合用于空间有限的形式因子的应用。同时,这款晶体管设计为预偏置型,从而保证其在低偏置条件下也能正常工作,提供高可靠性的电流增益。
DTA113ZUAT106 的基本电气特性参数如下:
DTA113ZUAT106 被广泛应用于许多电子产品中,包括但不限于:
DTA113ZUAT106 的封装类型为SOT-323(UMT3),该封装提供高密度的引脚布局,适合表面贴装技术(SMT)。其小型化的设计使其能够应用于各种便携式电子设备中,为设计工程师提供更大的灵活性和设计自由度。
在使用 DTA113ZUAT106 时,设计师应考虑以下几点:
总体而言,DTA113ZUAT106 是一款功能强大且灵活的PNP型数字晶体管,适合多种应用场景,同时凭借其紧凑的封装和良好的性能特征,能够很好地满足现代电子设计对空间和功耗的要求。作为罗姆公司的一款优质产品,DTA113ZUAT106 无疑是设计师在制定系统解决方案时的上佳选择。