集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.1V@5mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA | 输入电阻 | 2.2kΩ |
电阻比率 | 21 | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
DTA123JUAT106是一款由著名半导体制造商ROHM(罗姆)推出的数字晶体管,结合了卓越的电流处理能力和灵活的应用场景。这款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,适合现代电子设备的紧凑设计,特别是在空间有限的应用中显示出其优越的特性。该产品的强大性能使其在消费电子、通信设备和工业控制等领域得到了广泛应用。
DTA123JUAT106具备多项重要的电气特性,确保其在不同工作条件下的可靠性和高效能:
DTA123JUAT106的设计使其非常适合应用于各种场合,包括但不限于:
此数字晶体管的主要优势在于其高效能和高度集成设计。由于其超低的截止电流和合理的饱和压降,DTA123JUAT106在保证性能的同时有效降低了功耗,延长了电池寿命,具有负载适应性强、稳定性高的特性。此外,快速的跃迁频率确保其在实现信号传输过程中几乎没有延迟,使其在快速响应的应用中显得尤为重要。
DTA123JUAT106是一款表现卓越且适用广泛的PNP数字晶体管,凭借其优异的电气性能和设计灵活性,成为了现代电子设备中不可或缺的组件之一。无论是在提升产品的能效,还是在优化设计空间上,它都展示出巨大的潜力,是设计师和工程师首选的理想元件。