类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 266pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 29pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRLML0040TRPBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名品牌 Infineon(英飞凌)生产。该器件特别设计用于要求高导通效率和灵活性的应用场合,如开关电源、马达驱动、负载开关和其他逻辑电平驱动的应用。凭借其优越的参数特性,IRLML0040TRPBF 成为电子设计工程师的理想选择。
IRLML0040TRPBF 的设计使其在各种工作的环境中表现卓越。它的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端温度条件下稳定运行,适用于军事、工业和汽车等应用。设备的高效能与超低栅极驱动电压相结合,使其在低功耗和高效率应用中展现出巨大的优势。
该MOSFET具有良好的散热特性,最大功率耗散达到 1.3W,确保即使在高负荷条件下也能正常工作。超低导通电阻(Rds On)意味着在负载电流通过时会有极小的功率损耗,提高了整个电路的效率。
由于其具有的高压、高电流和高温特性,IRLML0040TRPBF 遮盖了广泛的应用领域:
IRLML0040TRPBF 采用表面贴装型封装,便于自动化生产线的组装。其稳固的 SOT-23 封装能提供良好的可靠性和扩展性。该封装还允许在有限的空间内实现高效能电路设计,充分满足现代紧凑型电子产品的要求。
IRLML0040TRPBF 作为一款高效、高稳定性的 N 通道 MOSFET,为各种要求高性能和高效率的电子装置提供了理想解决方案。凭借其小巧的封装、高可靠性和优越的电气特性,IRLML0040TRPBF 在当今电子市场中占据了重要的位置,是工程师们设计电路时的重要选择。无论是在高温、高电流还是高压太阳的工作环境中,IRLML0040TRPBF 均能确保其优越的性能表现,为终端产品的质量和稳定性提供了保证。