类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@4.5V,3A |
功率(Pd) | 55W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@30V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 180pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NCE0117K是一款高性能的N沟道MOSFET,属于新洁能(NCE)品牌的产品,广泛应用于电源管理、开关电源和其它功率电子设备中。其额定功率为55W,最高工作电压可达100V,最大持续电流为17A,具有优异的电气性能和热稳定性,适合在多种电子应用中实现高效的功率控制。
NCE0117K的主要应用包括但不限于以下几个方面:
开关电源:MOSFET在开关电源中起着关键角色,负责高频开关操作,以提高转换效率,减少能量损耗。NCE0117K的高额定电流和电压特性,使其在高要求的电源设计中表现出色。
电机驱动:随着电机控制技术的发展,使用MOSFET作为开关元件来控制电机的速度和扭矩,已成为一种常见方法。NCE0117K适用于直流电机和步进电机的驱动,能够有效处理快速开关带来的电流波动。
LED驱动:在LED照明系统中精确控制电流是保证LED性能的关键。方向性和直流驱动特性的结合使得NCE0117K成为LED驱动电路的理想选择,能够实现高效率的电流管理。
逆变器与电池管理系统:在太阳能逆变器以及电池管理系统中,NCE0117K能够帮助实现高效能的电力转换及电量管理,提升整体系统的可靠性和效率。
高效能:NCE0117K专为低导通电阻设计,最大限度地降低能量损耗,提高整体电路效率,使其在高功率应用中非常适用。
热稳定性:该元件在宽温度范围内稳定工作,能够承受高负荷条件,有效抵御过热的风险,适合应用于需要长时间高负载运行的场合。
易于驱动:得益于封装设计和电气特性,NCE0117K可以在较低的信号电平下驱动,简化了电路设计,同时提高了系统集成度。
可靠性高:新洁能(NCE)作为知名品牌,其产品经过严格的质量控制,具有良好的产品一致性和可靠性,能够满足严苛的工程应用要求。
NCE0117K作为一款高性能的N沟道MOSFET,以其高效率、优良的导通性能及广泛的应用适用性,成为了各类电子产品中不可或缺的核心元件。无论是在开关电源、驱动电机还是LED照明等领域,均能提供可靠的解决方案,助力工程师构建高效、稳定的电力电子系统。新洁能(NCE)始终致力于技术创新与产品性能的提升,为客户提供最优质的元器件选择。