STF14N80K5 产品实物图片
STF14N80K5 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STF14N80K5

商品编码: BM69416615
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220FP-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 800V 12A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
184(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
7.21
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.21
--
100+
¥6.11
--
1000+
¥5.9
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

STF14N80K5参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)12A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)445mΩ@10V,6A
功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@640V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)0.8pF工作温度-55℃~+150℃

STF14N80K5手册

STF14N80K5概述

STF14N80K5 产品概述

一、产品概述

STF14N80K5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,适用于各种高压和高效率电源应用。该器件具有优秀的电气特性和高度的可靠性,其漏源电压(Vdss)高达800V,连续漏极电流(Id)在25°C下可达到12A,极大满足了现代电子设备对电源元器件的严格要求。

二、关键特性

  1. 高电压和电流能力: 其800V的漏源电压和12A的连续漏极电流使该MOSFET能够处理高压和高电流的应用场合,特别适合于开关电源、逆变器及电动车辆的动力转换模块。

  2. 低导通电阻: 在6A的情况下,其最大导通电阻(Rds(on))仅为445毫欧,极大地降低了导电损耗,提高了工作效率,特别是在高频开关条件下更显其优势。

  3. 宽工作温度范围: STF14N80K5的工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端环境条件下稳定工作,对于工业和汽车应用非常重要。

  4. 高栅极电荷效率: 该MOSFET的栅极电荷(Qg)最大值为22nC(在10V下测得),这意味着其驱动损耗较低,适合于高频率的切换操作。

  5. 良好的输入电容特性: 输入电容Ciss的最大值为620pF(在100V下测得),这一特性有助于快速响应,从而实现高频操作,减少开关损耗。

  6. 封装类型: 采用TO-220FP封装,便于散热管理,同时方便于现代自动化生产线的大规模集成。

三、应用场景

STF14N80K5的特性使其广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 在各种AC-DC或DC-DC转换器及电源管理单元中,STF14N80K5可作为主开关元件,提高变换效率,降低待机功耗。

  2. 逆变器: 在太阳能逆变器和电动车辆逆变系统中,高压和高效能的特点使其成为首选组件。

  3. 电机驱动: 在伺服和步进电机驱动中,凭借其快速开关能力和低导通损耗,能够实现高效的运动控制。

  4. 工业控制: 在各类工业设备的控制电路中,STF14N80K5能够在高温和高压力环境下稳定工作,确保设备的可靠性和稳定性。

  5. 电动工具: 由于其适应高频、高电压的特性,这款MOSFET适用于数码电动工具,帮助提升工作效率和续航能力。

四、总结

STF14N80K5是一款高性能N沟道MOSFET,凭借其800V的额定电压、12A的连续电流、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,成为各类高压应用场合的理想选择。无论是在电源、逆变器、工业控制还是电动工具中,STF14N80K5都能提供优越的性能和可靠性,帮助工程师设计出更高效、稳定和耐用的电子设备。通过其先进的制造工艺和意法半导体的品牌保障,STF14N80K5将在现代电子领域继续发挥重要作用。