功率(Pd) | 35W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 227pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,15A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 45.6nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.13nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 20A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@15A |
产品名称:NCE30P20Q
安装方式:表面贴装(SMD)
封装类型:DFN3.3X3.3-8L
用途:场效应管(MOSFET)
最大功率:35W
最大电压:30V
最大电流:20A
品牌:NCE(新洁能)
NCE(新洁能)致力于为客户提供高效能的半导体解决方案,致力于满足不断增长的电子市场需求。NCE30P20Q作为该品牌的一款P沟道MOSFET,采用DFN3.3X3.3-8L封装,具有良好的热稳定性和电性能。此MOSFET的设计旨在实现高效率、低导通电阻和快速开关速度,适用于各种高频和高功率电子设备。
NCE30P20Q的主要特性包括:
功率容量:该MOSFET的额定功率为35W,能够处理高负载的电流,适合电机驱动、电源管理及开关电路等应用。
电压和电流规格:具有30V的最大工作电压和20A的持续电流能力,意味着它可以在多种应用场景下运行,例如汽车电子、消费电子和工业设备。
导通电阻:NCE30P20Q拥有较低的导通电阻,能够在保证高电流传输的同时降低能耗,从而提高系统的整体效率。
开关速度:优化的开关特性使其在高频操作下仍能保持稳定性能,适合用于高频转换电源和其他应用。
NCE30P20Q在多个领域展现出其优秀的应用能力,包括但不限于:
电源管理:在开关电源设计中,NCE30P20Q通过提供高效开关能力和可靠性,在降低能耗方面发挥了重要作用。
电机控制:该MOSFET可用于直流电机的驱动,允许实现精确控制,尤其适合在无人机、电动工具和电动汽车中的应用。
LED驱动电路:在LED照明系统中,使用NCE30P20Q可以实现更为高效、长寿命的驱动解决方案,具备良好的热管理性能。
在设计电路时,工程师可以参考以下几点以确保NCE30P20Q获得最佳性能:
散热管理:由于在大负载条件下工作时会产生一定的热量,选择适当的散热方案是必要的。可以通过添加散热器或设计合适的PCB布局以增强热传导。
驱动电路设计:确保MOSFET的栅极驱动电压适合,以避免因驱动不充分导致的开关损耗。合适的栅驱动电路可以提高MOSFET的开关速度,并降低热管理需求。
选择合适的布局:针对DFN3.3X3.3-8L封装的特点,合理布局PCB线路以降低寄生参数的影响,确保电流路径尽可能短且电流环路小,提升整体性能。
NCE30P20Q P沟道MOSFET是一个高性能、高效率的电子元器件,适用于多种电源和电机控制应用。凭借其优越的电气性能和合理的封装设计,NCE30P20Q能够帮助设计师提高系统性能、降低能耗。作为新洁能推出的代表性产品,NCE30P20Q在市场上必将助力众多行业的创新和发展。通过合理的电路设计和适当的散热管理,用户将能够充分发挥NCE30P20Q的优势,实现更高效的电子设备设计。