安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 420 毫欧 @ 6A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 790pF @ 25V | Vgs(最大值) | ±30V |
工作温度 | -50°C ~ 175°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 300V | 功率耗散(最大值) | 150W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
AOD468 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有卓越的导电性能和宽广的工作温度范围,使其在各种电子应用中广受欢迎。这款 MOSFET 主要用于开关电源、直流-直流转换器和其他高频、高效的电子电路中。
额定电流与电压:
导通电阻与功率耗散:
栅极驱动:
输入电容:
阈值电压:
工作温度范围:
AOD468 的封装采用 TO-252,专为表面贴装设计,方便在现代电子产品的制造中进行高度集成。TO-252 封装的设计不仅减小了占用空间,还能够有效提高散热性能,满足高功率应用的需求。
得益于其出色的电气特性和强大的稳定性,AOD468 广泛应用于:
AOD468 集高性能、高电流承载能力和宽工作温度范围于一身,是现代电子设备设计中不可或缺的元件之一。工程师在设计高效能电路时,推荐选用 AOD468,以确保电路的高效性和可靠性。这款 MOSFET 的多种优越特性和广泛的应用潜力,使其成为市场上的优选产品。