
| 数量 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V | 
| 连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | 
| 耗散功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | 
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | 输入电容(Ciss) | 226pF | 
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ | 
| 类型 | P沟道 | 输出电容(Coss) | 47pF | 

NCE2303 是新洁能(NCE)推出的一款小型 P 型场效应管 (MOSFET),其主要特点为能够承受高达 30V 的电压和 2A 的漏电流,具有额定功率 1W 的特点。这款 MOSFET 封装采用 SOT-23 封装形式,为电路设计提供了良好的空间效率,也是各种应用中的通用选择。
NCE2303 特别适用于以下应用场景:
额定参数的准确选取在电路设计中至关重要。NCE2303 的特点如下:
SOT-23 封装使得 NCE2303 十分适合电路板的密集型设计。小巧的体积、低的输入输出电容特性,使其在高频场景中表现突出。采用合适的布局设计与散热措施,可以最大程度发挥其性能。
在使用 NCE2303 时,需注意以下事项:
NCE2303 是一款性能优越,适用范围广泛的 P 型 MOSFET,尤其适合需要较高电流和电压的应用。凭借其小尺寸、高功效和优良的热管理能力,是现代电子设备设计中不可或缺的重要元器件。无论是开关电源、 as刷电机控制,还是负载开关应用,NCE2303 都能提供可靠的解决方案,是电子设计师值得信赖的选择。