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AOSS21319C 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOSS21319C

商品编码: BM69417242
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 2.8A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.666
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.666
--
200+
¥0.459
--
1500+
¥0.417
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOSS21319C参数

功率(Pd)1.3W反向传输电容(Crss@Vds)35pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,2.8A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)320pF连续漏极电流(Id)2.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

AOSS21319C手册

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AOSS21319C概述

AOSS21319C 产品概述

一、产品简介

AOSS21319C是由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司推出的一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足各种电子电路在开关和放大功能方面的需求。该器件具有1.3W的最大功率处理能力,额定电压为30V,以及2.8A的最大连续电流。这款MOSFET采用SOT-23封装,适合于各种小型化电子设备,为设计师提供了灵活的选择。

二、产品特性

  1. 封装与尺寸
    AOSS21319C采用SOT-23封装,具有紧凑的外形设计,这使其非常适合用于空间有限的电路板上。该封装形式有助于优化PCB设计,并减少元器件间的干扰。

  2. 电气性能

    • 额定击穿电压: 30V,确保在大多数应用中具备良好的电压承受能力。
    • 最大连续漏电流: 2.8A,适合于大多数中等负载的驱动应用。
    • 功率耗散: 1.3W,提供稳定的热管理能力,适于高负载和长期运行的应用。
  3. 开关特性
    AOSS21319C具备快速开关特性,使其在高频应用中的表现十分优秀。低导通电阻和快速上升/下降时间意味着可以有效降低在开关过程中的能量损耗,提高整体电路效率。

  4. 温度特性
    该MOSFET能够在-55°C至+150°C的广泛工作温度范围内稳定工作,满足各种工业和消费类电子产品对工作环境的需求。

  5. 良好的抗干扰性
    P沟道MOSFET的特性使其在高电磁干扰环境中表现良好,能够有效抑制外部噪声的影响。

三、应用领域

AOSS21319C可广泛应用于多个电子领域,包括但不限于:

  1. 开关电源
    该MOSFET特别适合用于开关电源设计中,凭借其低导通阻抗和快速开关能力,可以提高电源的效率和响应速度。

  2. 电池管理系统
    在电池管理应用中,可以用作电池的开关控制元件,帮助实现对充放电过程的精确控制,从而延长电池使用寿命。

  3. 汽车电子
    由于其优良的热特性和可靠性,AOSS21319C也可以应用于汽车电子设备中,如电机驱动和车间电源管理系统。

  4. 消费类电子产品
    该MOSFET广泛应用于智能手机、平板电脑等消费类电子产品中,以提高电路的能效和性能。

  5. 工业控制
    在工业自动化系统中,作为开关器件发挥重要作用,能够控制各种负载以实现自动化操作。

四、总结

AOSS21319C是一款高性能的P沟道MOSFET,具备出色的电气性能和稳定的工作特性,适合于多种电子电路的设计需求。其应用范围涵盖开关电源、电池管理、汽车电子和消费类产品等多个领域。凭借其紧凑的SOT-23封装与良好的热管理能力,AOSS21319C为设计师在小型化高效电路设计中提供了可靠的选择。选择AOSS21319C就是选择性能与可靠性的完美结合,无疑是现代电子设计中不可或缺的重要元件。