功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,2.8A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 320pF | 连续漏极电流(Id) | 2.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AOSS21319C是由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司推出的一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足各种电子电路在开关和放大功能方面的需求。该器件具有1.3W的最大功率处理能力,额定电压为30V,以及2.8A的最大连续电流。这款MOSFET采用SOT-23封装,适合于各种小型化电子设备,为设计师提供了灵活的选择。
封装与尺寸
AOSS21319C采用SOT-23封装,具有紧凑的外形设计,这使其非常适合用于空间有限的电路板上。该封装形式有助于优化PCB设计,并减少元器件间的干扰。
电气性能
开关特性
AOSS21319C具备快速开关特性,使其在高频应用中的表现十分优秀。低导通电阻和快速上升/下降时间意味着可以有效降低在开关过程中的能量损耗,提高整体电路效率。
温度特性
该MOSFET能够在-55°C至+150°C的广泛工作温度范围内稳定工作,满足各种工业和消费类电子产品对工作环境的需求。
良好的抗干扰性
P沟道MOSFET的特性使其在高电磁干扰环境中表现良好,能够有效抑制外部噪声的影响。
AOSS21319C可广泛应用于多个电子领域,包括但不限于:
开关电源
该MOSFET特别适合用于开关电源设计中,凭借其低导通阻抗和快速开关能力,可以提高电源的效率和响应速度。
电池管理系统
在电池管理应用中,可以用作电池的开关控制元件,帮助实现对充放电过程的精确控制,从而延长电池使用寿命。
汽车电子
由于其优良的热特性和可靠性,AOSS21319C也可以应用于汽车电子设备中,如电机驱动和车间电源管理系统。
消费类电子产品
该MOSFET广泛应用于智能手机、平板电脑等消费类电子产品中,以提高电路的能效和性能。
工业控制
在工业自动化系统中,作为开关器件发挥重要作用,能够控制各种负载以实现自动化操作。
AOSS21319C是一款高性能的P沟道MOSFET,具备出色的电气性能和稳定的工作特性,适合于多种电子电路的设计需求。其应用范围涵盖开关电源、电池管理、汽车电子和消费类产品等多个领域。凭借其紧凑的SOT-23封装与良好的热管理能力,AOSS21319C为设计师在小型化高效电路设计中提供了可靠的选择。选择AOSS21319C就是选择性能与可靠性的完美结合,无疑是现代电子设计中不可或缺的重要元件。