晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 15W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 25@3A,4V | 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.2V@3A,375mA | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
MJD31CT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的NPN型大功率三极管。该组件设计用于高功率和高电流应用,以提供出色的开关和放大性能。其集成了多个重要参数,使其适用于多种电子电路和设备中,具有良好的可靠性和耐用性。本产品采用TO-252-3(DPAK)封装,是面向表面贴装型(SMT)设计的理想选择。
MJD31CT4被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
MJD31CT4在设计与制造过程中注重了多方面的性能优化:
由于MJD31CT4采用DPAK封装,其表面贴装的设计使得安装过程变得更加简便。在实际应用中,请确保PCB布局和设计符合器件的电气和热管理要求,以获得最佳性能和产品寿命。同时,由于其集电极-发射极间的较高电压,建议使用适当的绝缘技术以保护周围的敏感元件。
MJD31CT4是功能强大的NPN三极管,凭借其高电压、大电流和出色的功率性能,尤其适合高功率开关、电机驱动和音频放大等领域。其可靠性和温度适应能力为多种应用提供了支持,是电子设计工程师在面临高功率需求时的重要选择。