IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
集电极电流(Ic) | 80A | 功率(Pd) | 290W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.9V@15V,40A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 120nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 115ns |
导通损耗(Eon) | 1.13mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.31mJ |
反向恢复时间(Trr) | 45ns | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
一、产品简介
FGH40N60SFDTU 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具有600V的集射极击穿电压,适用于高功率驱动和开关应用。此产品采用通孔安装方式,带有TO-247-3封装,能够满足高温及高电流的工作环境,尤其适合用于电机驱动、逆变器以及其他工业应用。
二、主要参数
三、产品应用
FGH40N60SFDTU在电力电子领域有广泛的应用,包括但不限于:
四、产品特点
五、总结
FGH40N60SFDTU是一款专为高电压和高电流应用而设计的IGBT,它的多项优良参数和性能使其在现代电力电子系统中表现出色。通过采用此种功能强大的IGBT,工程师能够设计出更加高效、稳定和安全的电源管理解决方案,从而满足工业和消费电子市场的不断发展的需求。其优越的性能和稳定的工作特性,使得FGH40N60SFDTU成为电子行业中的理想选择。