类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,2.4A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 520pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 72pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7303TRPBF是一款由德州仪器(Texas Instruments)提供的双N通道场效应晶体管(MOSFET),它适合广泛的电子应用。该器件专为高效能小型设计而优化,具有卓越的导通特性和低导通电阻,能够处理高达4.9A的连续漏极电流,最大漏源电压为30V,确保了其在多种负载条件下的可靠性。
IRF7303TRPBF广泛应用于各种电子和电气设计,包括但不限于:
在设计电路时,工程师需要特别注意IRF7303TRPBF的门极驱动电压,以确保其在所需的漏极电流下以充分的速率开关。在选择时,应评估实际电压和电流条件,确保相关元器件与IRF7303的规格相符,以避免因过载或热量引起的故障。
IRF7303TRPBF是一款具备高性能、高效能与高可靠性的N通道MOSFET,经过深思熟虑的设计,极适合当今对低功耗、高性能电子设备的需求。无论是在工业控制、电源管理还是消费类产品中,这款MOSFET均可发挥其独特优势,助力于现代电子设计的成功实现。在选择适合的MOSFET时,IRF7303TRPBF无疑是一个值得信赖的选择。