IRF7303TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF7303TRPBF

商品编码: BM69417551
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.175g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 4.9A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.09
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.09
--
4000+
¥2
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7303TRPBF参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,2.4A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V输入电容(Ciss@Vds)520pF
反向传输电容(Crss@Vds)72pF工作温度-55℃~+150℃

IRF7303TRPBF手册

IRF7303TRPBF概述

产品概述:IRF7303TRPBF

一、产品简介

IRF7303TRPBF是一款由德州仪器(Texas Instruments)提供的双N通道场效应晶体管(MOSFET),它适合广泛的电子应用。该器件专为高效能小型设计而优化,具有卓越的导通特性和低导通电阻,能够处理高达4.9A的连续漏极电流,最大漏源电压为30V,确保了其在多种负载条件下的可靠性。

二、关键参数

  1. FET类型:双N通道
  2. 漏源电压(Vdss):30V
  3. 连续漏极电流(Id):4.9A
  4. 导通电阻(RDS(on))
    • 最大值为50毫欧 @ 2.4A,10V
  5. 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大值为1V @ 250µA
  6. 栅极电荷(Qg):最大值为25nC @ 10V
  7. 输入电容(Ciss):最大值为520pF @ 25V
  8. 功率最大值:2W
  9. 工作温度范围:-55°C至150°C
  10. 封装类型:8-SOIC(0.154",3.90mm)
  11. 安装类型:表面贴装型

三、技术特点

  • 高效能:IRF7303TRPBF的低导通电阻使其在高频开关应用中极为理想,从而最大限度地减少功耗和热量生成。
  • 宽工作温度范围:该器件的工作温度范围广,能够应对极端环境,为高可靠性应用提供支持。
  • 小封装尺寸:SO-8封装设计占用空间小,适合紧凑型电路板布局,适合现代电子设备对小型化和轻便化的需求。

四、应用场景

IRF7303TRPBF广泛应用于各种电子和电气设计,包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流等应用,保证电源系列能够高效、稳定地供电。
  • 电动机驱动:在直流电动机和步进电机的驱动电路中,IRF7303提供快速的开关响应和高效率。
  • 负载开关:可用于负载切换和电源切断等应用,实现灵活的电源控制。
  • 开关电源和适配器:在开关电源中,该MOSFET可以满足高频开关能力和低损耗的需求。

五、设计考虑

在设计电路时,工程师需要特别注意IRF7303TRPBF的门极驱动电压,以确保其在所需的漏极电流下以充分的速率开关。在选择时,应评估实际电压和电流条件,确保相关元器件与IRF7303的规格相符,以避免因过载或热量引起的故障。

六、总结

IRF7303TRPBF是一款具备高性能、高效能与高可靠性的N通道MOSFET,经过深思熟虑的设计,极适合当今对低功耗、高性能电子设备的需求。无论是在工业控制、电源管理还是消费类产品中,这款MOSFET均可发挥其独特优势,助力于现代电子设计的成功实现。在选择适合的MOSFET时,IRF7303TRPBF无疑是一个值得信赖的选择。