集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 300mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@5mA,0.2V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 输入电阻 | 22kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IMH1AT110 是一款由日本 ROHM(罗姆)公司推出的数字晶体管,设计专为现代电子设备中高效信号放大与开关控制应用而开发。其采用表面贴装(SMT)封装,兼具小型化和高性能的特点,广泛适用于消费电子、通信设备及工业控制等多个领域。
IMH1AT110 是一款双 NPN 预偏置晶体管,集成了两个 NPN 晶体管于一个封装内,使其在电路设计中提供了更高的集成度和更小的占用空间。
电气特性:
频率响应:
功率处理:
封装与安装:
外部元件推荐: -推荐在基极连接22kΩ电阻(R1)和发射极连接22kΩ电阻(R2),以实现最佳工作状态和性能效果。
IMH1AT110 可广泛应用于以下领域:
IMH1AT110 是一款为现代电子产品设计的高性能、紧凑型数字晶体管,具备出色的电气特性和高集成度,适合多种应用场景。凭借 ROHM 公司的卓越技术背景与质量保证,IMH1AT110 为工程师们提供了一种可靠且灵活的方案,为各种电子设备的性能提升和功能扩展提供了有力支持。在快速演变的技术环境中,IMH1AT110 将继续发挥重要作用,为实现更高效、更智能的产品设计提供动力。