晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 8A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 20W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@4A,1V | 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@8A,0.4A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MJD45H11T4 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能PNP型双极性晶体管。作为一种表面贴装型设备,该产品在电源管理、开关电路和信号放大等应用中展现出优越的性能特征。其出色的电气参数以及耐高温特性使其成为众多电子设计项目的首选元件。
电气特性
热性能
功耗
MJD45H11T4采用TO-252-3(DPAK)封装,这是一种广泛应用于现代电子产品中的表面贴装型封装。其具有良好的散热性能和紧凑的设计,适合自动贴片生产工艺。封装设计还提供了较好的抗震动性能,确保在各种工作环境下的稳定性。
MJD45H11T4的应用范围相当广泛,涵盖了多个电子领域,包括但不限于:
MJD45H11T4是一款高性能的PNP型三极管,凭借其卓越的电气性能、热稳定性和适用广泛的封装设计,成为电子设计人员的理想选择。无论是在电源管理、信号放大还是不同工业应用中,MJD45H11T4都能够满足严苛的性能要求。使用该元件可以有效提升电路的效率和可靠性,是现代电子产品中的重要组成部分。