MJD122G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD122G

商品编码: BM69417702
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
TO-252-3 (DPAK)
包装 : 
管装
重量 : 
0.438g
描述 : 
达林顿管 20W 100V 1000@4V,4A NPN TO-252-2(DPAK)
库存 :
28(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
3.23
按整 :
管(1管有2480个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.23
--
2480+
¥3.1
--
37200+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD122G参数

类型NPN集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)1000@4V,4A功率(Pd)20W
集电极电流(Ic)8A特征频率(fT)4MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)10uA集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)4V@8A,80mA
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)

MJD122G手册

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MJD122G概述

MJD122G 产品概述

概述:
MJD122G 是一款高性能的 NPN 达林顿型晶体管,设计用于高支撑电流和高电压应用。它特别适合用于开关电源、马达驱动及其他要求高增益和高效率的电路中。该晶体管具备出色的性能,能够在极端的工作温度条件下可靠运行,并为设计工程师提供了优良的灵活性。

基本参数:
MJD122G 的集电极最大电流(Ic)可达 8A,适合大负载的应用,电压承载能力则高达 100V,确保其在各种严苛条件下的性能稳定。值得注意的是,在最大负载下(即 8A 时),该器件的集电极-发射极饱和压降(Vce饱和)为 4V,这在高电流应用中是一个重要参数,因为它直接影响功耗和热管理。

电流增益和功耗:
MJD122G 的 DC 电流增益(hFE)在 4A 和 4V 的条件下最小可达到 1000。这种高增益特性使其能够在较低的输入信号下驱动大电流,令电路设计更为简便。最大功率达 1.75W,为其应用于各种功率控制类电路提供了充分的余地。

频率和温度特性:
尽管 MJD122G 的跃迁频率为 4MHz,这在需要快速开关的应用中同样是一个值得关注的优点,其快速响应特性有助于提升整体电路的效率。它的工作温度范围从 -65°C 到 150°C,确保在极端环境下仍能稳定运行,为设计工程师在严苛条件下提供了更多设计自由度。

安装和封装:
MJD122G 采用风靡的 TO-252-3(DPAK)封装类型,这种表面贴装设计不仅减少了 PCB 面积的占用,还简化了自动化装配过程。其也具有优良的散热性能,适合高功耗应用。

应用领域:
MJD122G 适用于多个应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源
  • 电机控制
  • 照明控制(如LED照明)
  • 家用电器
  • 音频放大器驱动等

通过其高增益、高耐压和大电流能力,MJD122G 成为电子工程师解决高负载驱动问题的理想选择。

制造商和供应情况:
该产品由知名电子元件制造商 ON(安森美)生产,借助其强大的技术背景和生产能力,MJD122G 确保了长期的产品供应和稳定的质量。在选择合适的替代品或与其他产品比对时,MJD122G 的性能特征、可靠性和经济性均让其成为有力的竞争者。

总结:
MJD122G NPN 达林顿晶体管凭借其高电流增益、宽工作温度范围和出色的电压承载能力,为电子产品的设计提供了强大的支持。无论是在自动控制、家电还是工业应用中,这款晶体管都能体现出其卓越的性能,是电路设计不可或缺的关键元件之一。设计工程师可以充分利用其特性,构建出高效、高可靠性的电路系统。